線寬均勻性
發(fā)布時(shí)間:2017/10/26 21:10:34 訪問次數(shù):1682
半導(dǎo)體工藝中的線寬均勻性一般分為:芯片區(qū)域(chip)內(nèi)、曝光區(qū)域(shot)內(nèi)、硅片S-3530A(wafer)內(nèi)、批次(lot)內(nèi)、批次到批次之間(lot-to-lot)。影響線寬均勻性的因素以及影響范圍的一般分析在表7.2中列出,從表7,2中我們可以發(fā)現(xiàn):
(1)一般由于光刻機(jī)以及工藝窗口造成的問題影響面是比較廣的。
(2)由于掩膜版制造誤差或者由于光學(xué)鄰近效應(yīng)造成的問題一般僅局限于曝光區(qū)域內(nèi)。
半導(dǎo)體工藝中的線寬均勻性一般分為:芯片區(qū)域(chip)內(nèi)、曝光區(qū)域(shot)內(nèi)、硅片S-3530A(wafer)內(nèi)、批次(lot)內(nèi)、批次到批次之間(lot-to-lot)。影響線寬均勻性的因素以及影響范圍的一般分析在表7.2中列出,從表7,2中我們可以發(fā)現(xiàn):
(1)一般由于光刻機(jī)以及工藝窗口造成的問題影響面是比較廣的。
(2)由于掩膜版制造誤差或者由于光學(xué)鄰近效應(yīng)造成的問題一般僅局限于曝光區(qū)域內(nèi)。
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