基本的8步工藝光刻流程如圖7.9所示。

   HMDS表面處理、涂膠、曝光前烘焙、對(duì)準(zhǔn)和曝光、曝光后烘焙、顯影、顯影后烘焙、測(cè)量。 P9234V16

   氣體硅片表面預(yù)處理

   在光刻前,硅片會(huì)經(jīng)歷一次濕法清洗和去離子水沖洗,日的是去除沾污物。在清洗完畢后,硅片表面需要經(jīng)過(guò)疏水化處理,用來(lái)增強(qiáng)硅片表面同光刻膠(通常是疏水性的)的黏附惟。疏水化處理使用一種稱為六甲基二硅胺脘,分子式為(CH3)3⒏NHSi(CH3)3,(HMDs,heⅫmethyldisilazane)物質(zhì)的蒸氣。這種氣體預(yù)處理同木材、塑料在油漆前使用底漆噴涂相似。六甲基二硅胺脘的作用是將硅片表面的親水性氫氧根(C)H)通過(guò)化學(xué)反應(yīng)置換為疏水性的O⒏(CH3)3,以達(dá)到預(yù)處理日的。