在進(jìn)行Ti/TiN沉積之前,wafer還要進(jìn)行前處理,一是加熱(degas)去除ILD layer里的水汽和 OPA2137EA/2K5從上道工藝可能殘留下來的聚合物(polymer),二是用氬氣進(jìn)行離子轟擊(Ar predean)去除w盯er表面的氧化物。

   傳統(tǒng)的degas chamber一般采用燈泡(lamp)加熱,到了300mm時,出現(xiàn)了加熱效率更高DMD(Dual Mode Dcgas)chamber,wafer正面用燈泡加熱背面用電阻(heater)加熱。DMD的另一個優(yōu)點(diǎn)是雜質(zhì)氣體去除效率高。隨著HD材料的變化,de皿s的制程也要做相應(yīng)的調(diào)整。在65nm世代及以前,主要的ILD工藝是HDP,其材料相對致密,吸附的水汽較少。到了45nm,由于多晶硅側(cè)墻(spacer)的間距(space)縮小,弓卜入了具有更好gap hll能力的HARP工藝。HARP是一種SACVD工藝,由于沒有HDP中的離子轟擊步驟,薄膜的致密性要比HDP差,吸附的水汽就相對多,相應(yīng)的degas的溫度和時間就要升高和延長。但是,degas的溫度和時間也要控制。因?yàn)?5nm及以下世代,使用NiSi做Source/Dr缸n和Poly hne的硅化物,NiSi的缺點(diǎn)是熱穩(wěn)定性差,過多的熱量(therma1budget)會使NiSi向NiSi2轉(zhuǎn)變,RC和器件漏電都會增加。