在氣體預(yù)處理后,光刻膠需要被涂敷在硅片表面。涂敷的方法是最廣泛使用的旋轉(zhuǎn)涂膠方法。 T66CIRLSKB光刻膠(大約幾毫升)先被管路輸送到硅片中央,然后硅片會(huì)被旋轉(zhuǎn)起來,并且逐漸加速,直到穩(wěn)定在一定的轉(zhuǎn)速上(轉(zhuǎn)速高低決定了膠的厚度,厚度反比于轉(zhuǎn)速的平方根)。當(dāng)硅片停下時(shí),其表面已經(jīng)基本干燥了,厚度也穩(wěn)定在預(yù)先設(shè)定的尺寸上。涂膠厚度的均勻性在45nm或更加先進(jìn)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)上應(yīng)該在±20A之內(nèi)。通常光刻膠的主要成分有3種,有機(jī)樹脂、化學(xué)溶劑、光敏感化合物(PAC)。

   詳細(xì)的光刻膠將在有關(guān)光刻膠的章節(jié)中講到。本節(jié)只討論基本流體動(dòng)力學(xué)方面的內(nèi)容。涂膠工藝流程分為二步:①光刻膠的輸送;②加速旋轉(zhuǎn)硅片到最終速度;③勻速旋轉(zhuǎn)直到厚度穩(wěn)定在預(yù)設(shè)值。最終形成的光刻膠厚度與光刻膠的黏度和最終旋轉(zhuǎn)速度直接相關(guān)。光刻膠的黏度可以通過增減化學(xué)溶劑來調(diào)整。旋涂流體力學(xué)曾經(jīng)被仔細(xì)研究過[明。對光刻膠厚度均勻性的高要求可以通過對以下參數(shù)的全程控制來實(shí)現(xiàn):①光刻膠的溫度;②環(huán)境溫度;③硅片溫度;④涂膠模塊的排氣流量和壓力。如何降低涂膠相關(guān)的缺陷是另一個(gè)挑戰(zhàn)。實(shí)踐顯示,以下流程的采用可以大幅度的降低缺陷的產(chǎn)生。