曝光完成后,光刻膠需要經(jīng)過又一次烘焙。因為這次烘焙在曝光后,叫做“曝光后烘焙”,TA31086F簡稱后烘(Post Exposure Bake,PEB)。后烘的目的在于通過加熱的方式,使光化學(xué)反應(yīng)得以充分完成。曝光過程中產(chǎn)生的光敏感成分會在加熱的作用下發(fā)生擴散,并且同光刻膠產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),將原先幾乎不溶解于顯影液體的光刻膠材料改變成溶解于顯影液的材料,在光刻膠薄膜中形成溶解于和不溶解于顯影液的圖形。由于這些圖形同掩膜版上的圖形一致,但是沒有被顯示出來,又叫“潛像”(latent im鯧e)。對化學(xué)放大的光刻膠,過高的烘焙溫度或者過長的烘焙時間會導(dǎo)致光酸(光化學(xué)反應(yīng)的催化劑)的過度擴散,損害原先的像對比度,進而減小工藝窗口和線寬的均勻性。詳細(xì)的討論將在后續(xù)的章節(jié)中進行。真正將潛像顯示出來需要通過顯影。