Ar preˉde【an的作用是通過離子轟擊去除基體表面的氧化物。Ar pr←clean cllamber主要由高頻(RF2)、低頻電源(RF1)和一個(gè)石英罩構(gòu)成,其結(jié)構(gòu)如圖6.17所示。RF1作用是加速粒子撞擊以產(chǎn)生等離子, OPA2227U故選擇對(duì)加速離子有利的低頻電源,頻率一般在400kHz。

   RF2的作用是產(chǎn)生負(fù)的偏壓。在交流電作用下,正負(fù)電荷會(huì)不斷改變自己的運(yùn)動(dòng)方向。負(fù)電荷由于質(zhì)量輕運(yùn)動(dòng)速度就快,在電場(chǎng)改變方向以前,可能就已到達(dá)wafer表面并逐漸累積起來,最后形成較大的負(fù)偏壓,吸引正的Ar離子來轟擊wafer表面。頻率越高,形成的負(fù)壓越大,dean的效率越高�，F(xiàn)在RF2的頻率為13,56MHz。但是這種轟擊沒有選擇性,當(dāng)氧化物被去除以后,Ar離子會(huì)繼續(xù)刻蝕基體,使部分硅化物也被去除,導(dǎo)致RC增加。所以, 在進(jìn)行工藝開發(fā)時(shí),Ar pre clean的時(shí)間和功率(power)都要調(diào)整,通過DOE找到合適的工藝參數(shù),達(dá)到既能保證氧化物被徹底清除,叉能盡量避免對(duì)硅化物的損傷的目的。

   ⒏∞血是新的Pre clean丁藝,它實(shí)際是一種dry etch I藝,反應(yīng)原理如下:

   NF3+NH3(RF)―9NH.F+NH1F.HF

   NH4F+NH1F,HF+Si02(Heat)~’(NH4)2⒏F6+H20

   (NH1)2⒏F6+H2(×Heat)~-・SiF1+NH3

   sconi的優(yōu)點(diǎn)是采用了remote plasma,所以不存在PID問題。而且由于是氣體反應(yīng),與采用物理轟擊的Ar pre cIean工藝相比較少受contact A/R的影響。所以,用做∞ntact的pre clean時(shí),siconi主要應(yīng)用在具有較高A/R(>20:1)的dram制程,logic制程還是Ar pre_clean。