底部?jī)?nèi)切(undercut):
發(fā)布時(shí)間:2017/10/26 21:31:52 訪問次數(shù):3212
底部?jī)?nèi)切(undercut):與底部站腳相反,內(nèi)切是由于光刻膠底部的酸性較高,底部的去保護(hù)反應(yīng)比其他地方的高。SC1101CS解決的思路正好同上面的相反。T型頂(t-topping):T型頂是由于工廠里面的空氣中含有堿性(base)成分,如氨氣、氨水(ammol△h),胺類有機(jī)化合物(ami【△e),對(duì)光刻膠頂部的滲透中和了一部分光酸,導(dǎo)致頂部局部線寬變大,嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致線條粘連。解決方法是嚴(yán)格控制光刻區(qū)的空氣的堿含量,通常要小于⒛ppb(十億分之一),而且盡量縮短曝光后到后烘的時(shí)間(post exposureDelay)。
頂部變圓(top roumding):一般由于在光刻膠頂部照射到的光強(qiáng)比較大,而當(dāng)光刻膠的顯影對(duì)比度不太高時(shí),這部分增加的光會(huì)導(dǎo)致增加的溶解率,于是造成頂部變圓。線寬粗糙度(linewidth roughness):線寬粗糙度前面已經(jīng)討論過。
底部?jī)?nèi)切(undercut):與底部站腳相反,內(nèi)切是由于光刻膠底部的酸性較高,底部的去保護(hù)反應(yīng)比其他地方的高。SC1101CS解決的思路正好同上面的相反。T型頂(t-topping):T型頂是由于工廠里面的空氣中含有堿性(base)成分,如氨氣、氨水(ammol△h),胺類有機(jī)化合物(ami【△e),對(duì)光刻膠頂部的滲透中和了一部分光酸,導(dǎo)致頂部局部線寬變大,嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致線條粘連。解決方法是嚴(yán)格控制光刻區(qū)的空氣的堿含量,通常要小于⒛ppb(十億分之一),而且盡量縮短曝光后到后烘的時(shí)間(post exposureDelay)。
頂部變圓(top roumding):一般由于在光刻膠頂部照射到的光強(qiáng)比較大,而當(dāng)光刻膠的顯影對(duì)比度不太高時(shí),這部分增加的光會(huì)導(dǎo)致增加的溶解率,于是造成頂部變圓。線寬粗糙度(linewidth roughness):線寬粗糙度前面已經(jīng)討論過。
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