更小的CI)是改進IC技術(shù)的著震點c均勻性是IC制造屮不可缺少的另一個質(zhì)量的童度量,OADM249A219不僅要做到晶圓與晶圓間、批次與批次間的均勻.還要做到晶圓內(nèi)、芯片內(nèi)的均勻,為使芯片功能正確,需要對均勻性加以嚴格的控制,使其在不同的規(guī)模中表現(xiàn)出相似的刻蝕特性�？涛g中的微負載效應(yīng)是指在整個晶圓上,由于稠密的圖形與孤讠的圖形同時存在所表現(xiàn)出的不同刻蝕行為。稠密的圖形(扃)顯示比孤立圖形(左)具有更垂直的側(cè)墻形狀。這種現(xiàn)象可以看成由丁在孤讠圖形這個區(qū)域有更多的聚合物產(chǎn)生機制存在。

   在It)制造中的干法刻蝕町以歸結(jié)于線、溝槽和孔應(yīng)用的組合.圖8.5總結(jié)F各種刻蝕形狀,包括規(guī)則的和不規(guī)則的。在多晶硅柵制作中,所需要的刻蝕形狀是矩形的。即使干法刻蝕已經(jīng)被廣泛地認為能夠提供垂直的刻蝕速率,但無論是考慮襯底與界面的相互作用或是在刻蝕與鈍化問仔細地尋求平衡,都無法實現(xiàn)如圖8.5左上部分顯示的完全矩形的形狀。通常的情況是,輕微過度的側(cè)墻鈍化導(dǎo)致形成F錐形的形狀。而倒錐形形狀來源于在刻蝕過程屮鈍化作用的逐漸減小,這種形狀在高速電路應(yīng)用中是受歡迎的,這時需要小一些的柵底部CD。另外,寬的柵頂部為后續(xù)的硅化物I藝提供了足夠的表面�？s頸的原因主要是多品硅柵的摻雜濃度造成的刻蝕速率差,嚴重地縮頸通常都與多晶硅柵重摻雜有關(guān)。多晶硅柵的底部存在腳和缺口都不是理想的形狀,它們都趨向于非對稱的源、漏,因而造成器件的失配。更具體地說,缺口容易引起柵T)(輕摻雜漏)重疊減少,這將導(dǎo)致更高的源側(cè)R’、

電阻和更高的漏側(cè)襯底電流Ⅰ出b。不對稱的腳有時源于糟糕的光刻膠線寬粗糙度。盡管如此,至關(guān)重要的是制作出可良好控制、對稱并可重復(fù)的形狀。