光阻一般用作IC制造的光罩,使命完成后,應(yīng)加以去除。光阻清洗包括前后段干濕刻蝕后光阻去除, S912XEG128J1MAA離子植入后光阻去除,曝光后L下層錯位較大或缺陷較多需要重做的光阻去除(rework)。光阻下層的材料有很多種,如⒏、Si02、SiN、Al、I冫°wk等,這就要求在去除光阻的同時,不傷及下層薄膜。但零缺陷是不存在的,因此就出現(xiàn)不同的去除方法,以確保損傷最小。去除方法有無機氧化去除,有機濕法去除,氧電漿灰化合并無機氧化去除、氧電漿灰化合并有機濕法去除。

   無機氧化去除(柵極刻蝕和光阻Rework)

  這里常用的溶液是98%HJ⒏)l和31%HJ OJ的混合物,溫度120~200°C(攵口上一節(jié)介紹的Piranha溶液)。它的氧化機理是氧化劑HrSΘi氧化有機物成CΘ2,從溶液放出;另外H202在高溫下分解,同時都會產(chǎn)生副產(chǎn)物H2Θ,所以溶液很難維持一個恒定的組分,現(xiàn)在大部分機臺都有定時添加化學(xué)品的功能.以補充使用的損失;還有一種向H2sO|通人臭氧(OJ),用03替代H202,形成叫做SOM的溶液,其使用時間較SPM長。這種光阻去除主要應(yīng)用在柵極Si02的濕法刻蝕和重曝光的光阻去除上(rework),而離子植人后光阻的仝濕法去除,會用到大約⒛0℃高溫的SPM。