掩膜版誤差因子(Mask Error Factor,MEF)或者掩膜版誤差增強(qiáng)因子(Mask Er⒛rEnhancement Factor,MEEF)定義為在硅片上曝出的線(xiàn)寬對(duì)掩膜版線(xiàn)寬的偏導(dǎo)數(shù)。S2817A150掩膜版誤差因子主要由光學(xué)系統(tǒng)的衍射造成,并且會(huì)因?yàn)楣饪棠z對(duì)空間像的有限保真度而變得更加大。影響掩膜版誤差因子的因素有照明條件、光刻膠性能、光刻機(jī)透鏡像差、后烘(PEB)溫度等。最近十年來(lái)文獻(xiàn)中曾經(jīng)有許多對(duì)掩膜版誤差因子的研究報(bào)告[ll],從這些研究可以看到:空間周期越小或者像對(duì)比度越小,掩膜版誤差因子越大。對(duì)遠(yuǎn)大于曝光波長(zhǎng)的圖形,或者在人們常說(shuō)的線(xiàn)性范圍,掩膜版誤差因子通常非常接近1。對(duì)接近或者小于波長(zhǎng)的圖形,掩膜版誤差因子會(huì)顯著增加。不過(guò),除了以下特殊情況,掩膜版誤差因子一般不會(huì)小于1:

   (1)使用交替相移掩膜版的線(xiàn)條光刻可以產(chǎn)生顯著小于1的掩膜版誤差因子。這是因為在空間像場(chǎng)分布中的最小光強(qiáng)主要是由鄰近相位區(qū)所產(chǎn)生的180°相位突變產(chǎn)生的。改變相位突變處掩膜版上金屬線(xiàn)的寬度對(duì)線(xiàn)寬影響不大。  

   (2)掩膜版誤差因子在光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中細(xì)小補(bǔ)償結(jié)構(gòu)附近會(huì)顯著小于1。這是因 為對(duì)主要圖形的細(xì)小改變不能被由衍射而造成分辨率有限的成像系統(tǒng)所敏感地識(shí)別。