掩膜版誤差因子(Mask Error Factor,MEF)或者掩膜版誤差增強因子(Mask Er⒛rEnhancement Factor,MEEF)定義為在硅片上曝出的線寬對掩膜版線寬的偏導(dǎo)數(shù)。S2817A150掩膜版誤差因子主要由光學(xué)系統(tǒng)的衍射造成,并且會因為光刻膠對空間像的有限保真度而變得更加大。影響掩膜版誤差因子的因素有照明條件、光刻膠性能、光刻機透鏡像差、后烘(PEB)溫度等。最近十年來文獻中曾經(jīng)有許多對掩膜版誤差因子的研究報告[ll],從這些研究可以看到:空間周期越小或者像對比度越小,掩膜版誤差因子越大。對遠大于曝光波長的圖形,或者在人們常說的線性范圍,掩膜版誤差因子通常非常接近1。對接近或者小于波長的圖形,掩膜版誤差因子會顯著增加。不過,除了以下特殊情況,掩膜版誤差因子一般不會小于1:

   (1)使用交替相移掩膜版的線條光刻可以產(chǎn)生顯著小于1的掩膜版誤差因子。這是因為在空間像場分布中的最小光強主要是由鄰近相位區(qū)所產(chǎn)生的180°相位突變產(chǎn)生的。改變相位突變處掩膜版上金屬線的寬度對線寬影響不大。  

   (2)掩膜版誤差因子在光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中細小補償結(jié)構(gòu)附近會顯著小于1。這是因 為對主要圖形的細小改變不能被由衍射而造成分辨率有限的成像系統(tǒng)所敏感地識別。