如表9.2所示Ⅱ,它概述F DHF/HCl和稀HF對各種薄膜的刻蝕率和對高虍/金屬柵兼容性的比較。DH「/HCl對Hf02的刻蝕,相對于其他材料有一個好的刻蝕選擇性.尤其Si()2,這就是為什么DHF/HCl在I業(yè)界被普遍使用于高芡去除。 W158H

   表9.2 不同高凡/金屬棚材料刻蝕率

   標(biāo)準(zhǔn)清洗液(S(11)被廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體制造中。對于金屬柵(如Ti基或Ta基金屬材料)的選擇性刻蝕,SCl已是一個主要的刻蝕劑,因為相對于其他可能暴露的材料,如Hf02、Hsix()y、Si()2和⒏,它可提供一個極好的刻蝕選擇性。還由于這樣一個事實,Ti基材料相對于Ta基有一個較高的刻蝕率,囚此當(dāng)Ti基和Ta基材料同時出現(xiàn)時,SC1也可用來選擇性去除Ti基材料,如表9.3和表9.4所示。