大多數(shù)可行的高介質(zhì)濕法去除是采用HF基的化學(xué)品。通過加入酸或醇9HF基溶液的刻W15-0180-M-0075HC蝕選擇性可得到改善。HF溶液中每個組分的變化相對函數(shù)pH可從理論上得到計算。Paraschiv等人做了這種理論計算和實驗刻蝕率的比較,如BF2-Hf02(HfC)2膜接受過的植人傷害)、HfO2和爐管氧化硅Ⅱ∷。如圖9.17所示,在pH值為0~1時,沒有分離的HF擔(dān)負(fù)HfOz的刻蝕,|盯在pH值為0以下時,SiO2和Hf()!的去除明昆受H濃度的影響。這種發(fā)現(xiàn)給出一個在―定pH值范圍內(nèi)使用酸性HF時,相對于sOr選擇性地去除Hf()2的可能。