PN結(jié)是在半導(dǎo)體底材上進(jìn)行摻雜的區(qū)域,它是集成電路器件(如二極管和晶體管)的基本部件。PN結(jié)通常是通過離子注人,再經(jīng)過高溫的熱處理將注入離子活化而形成的。 OCP8155

   隨著電子器件尺寸的進(jìn)一步縮小,又寸于器件的性能,如漏電流和開關(guān)速度等,PN結(jié)的質(zhì)量和界面性質(zhì)正扮演著越來越重要的角色。圖10.1的場(chǎng)效應(yīng)管示意圖中,分別演示了源漏極(SD)及源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu)(SDE)所對(duì)應(yīng)的PN結(jié)位置及深度。

   器件尺寸的縮小要求柵極尺寸按照一定的設(shè)計(jì)規(guī)則相應(yīng)減小,而為了降低短溝道效應(yīng),源漏極的結(jié)深也要相應(yīng)地縮小。器件尺寸縮小后,其本征 的I作電阻(Rαl=⒕d/rαl)降低了,這就要求源漏極的串聯(lián)電阻(R屮Ⅱcs)也要相應(yīng)地低至一定程度(對(duì)應(yīng)器件工作電阻的一小部分)以滿足器件性能需求。

    (M(,SFET)尺寸縮小后,從金屬硅化物到源漏極的接觸電阻愈加限制器件的性能。因此,控制摻雜離子/元素的濃度、分布輪廓、活化以及硅化物的形成,都是超淺結(jié)技術(shù)的關(guān)鍵組成部分,對(duì)器件的性能也有著重要的影響。近年來,在超淺結(jié)技術(shù)方面.我們看到了許多可喜的進(jìn)展。在離子注入方面,大分子離子注入和低溫離子注入技術(shù)的應(yīng)用,可以得到更低的離子植人射程端缺陷和更好的非晶化效果,從而使注人離子有更好的活化效率。在熱制程方面,毫秒級(jí)或亞毫秒級(jí)的退火I藝已經(jīng)迅速地取代傳統(tǒng)的熱處理工藝或成為傳統(tǒng)退火I藝的必要補(bǔ)充。