STI CMP要求磨去氮化硅(SiN1)上的氧化硅(Si()2),同時又要盡可能減少溝槽中氧化硅的凹陷(dishing),參見圖11.1。

   初期的s'r1CMP延用H~1,CMP的研磨液,以硅膠作為研磨顆OP2177ARZ粒(siIica based slurry)。硅膠研磨液的選擇比很低(Si()⒓:SiN l~1),研磨的終點控制能力較差,I藝窗冂(processwindow)很窄。所以不得不使用拋光前平坦化的方法,比如反向光罩(reverse mask)等方 法,這大大增加r「藝成本e于是,高選擇比(Si()2:siN l)3O)的研磨液(High&lectivity slurry,【ISS)應運而生.它用氧化鈰(Cc02)作為研磨顆粒(ceria based slurry)。這樣,SiN!就成F拋光的停止層(stop laycr),丁藝窗口大大加寬,反向光罩的方法成為歷史,直接拋光(direct STI CMI))夢想成真,STI CMP大大地向前邁進了一步。至今為止,使用Ccria Based Slurry的拋光I藝仍然是STI CMP的主流方法。然而,任何東西都有它的局限性,(leria Based Slurry丁藝所產生的凹陷(2∞~600A,對于約10Oum寬的溝槽),依然是它的弱點,不能滿足新技術對凹陷日益嚴格的要求。