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橢圓偏光厚度測(cè)量

發(fā)布時(shí)間:2017/11/10 22:06:59 訪問(wèn)次數(shù):1499

   橢偏儀是一種可反映薄膜特性的光學(xué)儀器,它用一個(gè)偏光儀,產(chǎn)生線性的偏光,以一個(gè)OCP8020大的入射角照射到樣品卜,而后,收集反射光并分析Ⅱ,如圖9,28所示。

      

   由于樣品的厚度和折射率對(duì)偏振的影響,分析儀就測(cè)量這種偏振的變化。在橢偏儀上,線性偏光被反射成橢圓偏光,由此而得名。橢圓偏光有兩個(gè)成分P(垂直偏振)和S(水平偏振),并有各自的振幅RP、Rs和相位差△,分析儀測(cè)量這些矢量組分比,為F把Ψ和△轉(zhuǎn)化成樣品的光學(xué)常數(shù),需要建立一個(gè)膜層樣本,這個(gè)膜層樣本包含光學(xué)常數(shù)(折射率或介電函數(shù)張量)、每層厚度、膜的正確堆疊順序。使用重復(fù)步驟(最小工乘最小化).改變厚度參數(shù),用菲涅兒公式得到Ψ和△,如果Ψ和△計(jì)算值能與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相符,那么它可提供樣品的光學(xué)參數(shù)和厚度。

   其他度量

   Quantox或汞探針用來(lái)測(cè)定靜電電荷,這些電荷常在濕法清洗制程時(shí)產(chǎn)牛在非導(dǎo)電層上。二次離子質(zhì)譜儀(SMIS)用來(lái)量測(cè)摻質(zhì)的化學(xué)濃度,AUGER用來(lái)測(cè)量晶片表面的有機(jī)物,FTIR和折射率被用來(lái)測(cè)量低(超低)介電常數(shù)的改變,接觸角廣泛用來(lái)測(cè)定晶片表面特性變化。


   橢偏儀是一種可反映薄膜特性的光學(xué)儀器,它用一個(gè)偏光儀,產(chǎn)生線性的偏光,以一個(gè)OCP8020大的入射角照射到樣品卜,而后,收集反射光并分析Ⅱ,如圖9,28所示。

      

   由于樣品的厚度和折射率對(duì)偏振的影響,分析儀就測(cè)量這種偏振的變化。在橢偏儀上,線性偏光被反射成橢圓偏光,由此而得名。橢圓偏光有兩個(gè)成分P(垂直偏振)和S(水平偏振),并有各自的振幅RP、Rs和相位差△,分析儀測(cè)量這些矢量組分比,為F把Ψ和△轉(zhuǎn)化成樣品的光學(xué)常數(shù),需要建立一個(gè)膜層樣本,這個(gè)膜層樣本包含光學(xué)常數(shù)(折射率或介電函數(shù)張量)、每層厚度、膜的正確堆疊順序。使用重復(fù)步驟(最小工乘最小化).改變厚度參數(shù),用菲涅兒公式得到Ψ和△,如果Ψ和△計(jì)算值能與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相符,那么它可提供樣品的光學(xué)參數(shù)和厚度。

   其他度量

   Quantox或汞探針用來(lái)測(cè)定靜電電荷,這些電荷常在濕法清洗制程時(shí)產(chǎn)牛在非導(dǎo)電層上。二次離子質(zhì)譜儀(SMIS)用來(lái)量測(cè)摻質(zhì)的化學(xué)濃度,AUGER用來(lái)測(cè)量晶片表面的有機(jī)物,FTIR和折射率被用來(lái)測(cè)量低(超低)介電常數(shù)的改變,接觸角廣泛用來(lái)測(cè)定晶片表面特性變化。


相關(guān)技術(shù)資料
11-10橢圓偏光厚度測(cè)量
相關(guān)IC型號(hào)
OCP8020
暫無(wú)最新型號(hào)

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