通過本章學(xué)習(xí)您將能了解到CMP技術(shù)近年來的發(fā)展?fàn)顩r。本章通過CMP的幾個重要應(yīng)用OP213FS,闡述了CMP的要求、過程和原理,同時也解釋了CMP對器件性能的影響以及新技術(shù)對CMP的挑戰(zhàn)等。11.2節(jié)描述了STI CMP的演化過程,它從早期使用低選擇比的硅膠研磨液,發(fā)展到當(dāng)今使用高選擇比的氧化鈰研磨液;從開始需使用繁復(fù)的反向光罩工藝,發(fā)展到今天實現(xiàn)簡單的直接拋光。這一部分也詳細(xì)描述了氧化鈰研磨液拋光和固定研磨粒拋光工藝的機(jī)理及方法,并比較了它們的優(yōu)缺點。從0,13um到32nm/22nm技術(shù),日益復(fù)雜的拋光材料,日益提高的拋光要求,(ru CMP技術(shù)在挑戰(zhàn)中日漸成熟。11,3節(jié)洋細(xì)敘述了Cu CMP的研磨過程及機(jī)理,研磨液的設(shè)計要求及研磨液中各種成分的作用,也分析了CuCMP產(chǎn)生的缺陷及形成原因等。11.4節(jié)詳細(xì)敘述了ILDO CMP和Al CMP在32/22nm技術(shù)形成高乃金屬柵T藝中的應(yīng)用,分析了它遇到的問題、產(chǎn)生的影響以及解決的方法等。11.5節(jié)也闡述了在PCRAM技術(shù)中GST CMP的應(yīng)用以及所面臨的挑戰(zhàn)。