溢流沖洗:晶片放進(jìn)滿水槽底部的晶片架上,如圖9.24所示,去離

子水從底部供人, W1RF250水流經(jīng)過晶片,并逐漸⒈移,而后越過晶片,再后來溢出水槽內(nèi)緣,而流到外槽,進(jìn)人排出系統(tǒng),同時(shí)清洗并帶走晶片上的藥液和殘留物,持續(xù)不斷流動(dòng)、沖洗,最終達(dá) 到清潔晶片的日的。如果配置N2鼓泡,會(huì)增強(qiáng)清洗效果和改善清洗能力。

   快速傾倒沖洗(Quick Dump Rinse,QDR):快速傾倒沖洗類似溢流沖洗,不同之處是在水槽頂部?jī)蓚?cè)各裝一排噴頭,且槽的底部可自由打開,如圖9.25所示。開始晶片放進(jìn)空的水槽,水槽上的噴頭啟動(dòng)噴淋,晶片上的藥液被快速?zèng)_掉,同時(shí)水槽底部的水管注入去離子水,當(dāng)槽注滿后,槽底瞬問打開,清洗水流入排水管,如此反復(fù)幾次,晶片得到徹底清洗。