⒛世紀(jì)90年代初期,光刻對平坦度日益迫切的要求,催生了化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)I藝,它開始被用于后端(BEOI')金屬連線層間介質(zhì)的平整,當(dāng)時還是一個不被看好的丑小鴨。然而隨著時光的流逝,Ⅱ小鴨卻越來越顯現(xiàn)出她獨(dú)特的魅力。OP2177AR

   ⒛世紀(jì)90年代中期,淺槽隔離拋光(sTI CMP)在0.35um技術(shù)中被用于形成淺槽隔離,以取代原先的I'(rOs。鎢拋光(W CMP)也在0.35um技術(shù)中以它高良率低缺陷的優(yōu)勢,取代了原先的反刻蝕(etch back)丁藝。到了21世紀(jì)初,銅拋光(Cu CMP)閃亮登場,使

0.13um后端銅制程變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)。不過當(dāng)時的Cu CMP相對簡單,只要求研磨Cu、Ta和TE()S等材料。Cu CMP一直被延續(xù)使用到90nm、65nm,直到今天的45/32/28/22nm。拋光材料日益復(fù)雜,涉及低乃材料、AID阻擋層、Co、Ru等;拋光要求日益增高,它要求高均勻性、高平整度、低缺陷和低壓力等。近年來,CMP技術(shù)在32/22nm技術(shù)形成高慮金屬門的工藝中,叉有了新的用武之地,這也對CMP提出了更高的要求。另外,CMP也在PCRAM技術(shù)中,擔(dān)當(dāng)GST CMP的重任。諸如此類,新的CMP應(yīng)用層出不窮。