Cu CMP的過程和機理
發(fā)布時間:2017/11/11 17:42:11 訪問次數(shù):3994
Cu CMP的過程和機理Q113A-STS-E2
Cu CMP研磨△藝通常包括三步(見圖11,12)。第―步用銅研磨液來磨掉晶圓表面的大部分銅;第二步通常也用相同的銅研磨液,但用較低的研磨速率精磨與阻擋層接觸的銅,并通過終點偵測技術(shù)(Endpoint)使研磨停在阻擋層L;第三步是用阻擋層研磨液磨掉阻擋層以及少量的介質(zhì)氧化物,并用大量的去離子水(DIW)清洗研磨墊和品圓。
Cu CMP的過程和機理Q113A-STS-E2
Cu CMP研磨△藝通常包括三步(見圖11,12)。第―步用銅研磨液來磨掉晶圓表面的大部分銅;第二步通常也用相同的銅研磨液,但用較低的研磨速率精磨與阻擋層接觸的銅,并通過終點偵測技術(shù)(Endpoint)使研磨停在阻擋層L;第三步是用阻擋層研磨液磨掉阻擋層以及少量的介質(zhì)氧化物,并用大量的去離子水(DIW)清洗研磨墊和品圓。
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- Q113A-STS-E2
- 暫無最新型號
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