對于前兩步銅拋光所用研磨液的基本要求是:較高的去除速率、平坦化能力、對阻擋Q1900C-1N層和介質(zhì)層較高的選擇性以及抗腐蝕和缺陷控制能力等。銅拋光研磨液分為酸性、中性和堿性三種,其中的研磨顆粒通常是A12()∴或⒏O?,氧化劑是H20∶,并含有抗腐蝕抑制劑,通常是BTA(三唑甲基苯)以及其他添加物,詳見表⊥l。2。由于Cu的電化學(xué)勢要明顯高于Al和W,另一方面銅的硬度要明顯低于研磨液中研磨顆粒的硬度(如A12()s或⒏02)。所以,用于Cu CMP的研磨液需要既能氧化銅叉不能侵蝕銅。①通過研磨液的化學(xué)作用,在其表面形成幾個原子層厚度的較硬的氧化銅,同時叉溶解圓之間的相對轉(zhuǎn)動和研磨液源源不斷的加人將含有氧  圖l],⊥3 銅研磨的電化學(xué)反應(yīng)化銅的溶液沖走。

   表11,2 主流銅研磨液的主要成分及作用