傳統(tǒng)上一般用干刻蝕制作圖案,然而,當(dāng)進(jìn)人高介質(zhì)金屬柵后,一些新材料如鑭沒(méi)有任何可知的揮發(fā)性化合物,就無(wú)法使用干刻蝕進(jìn)行刻蝕。W15-0082M0125HD在這種情況下,濕法刻蝕就被用來(lái)實(shí)現(xiàn)圖案制備。Kubicck等人已經(jīng)介紹一種先雙金屬柵雙介質(zhì)(HKMG伍rst)的CMOS集成流程[3:」,如圖9.16所示。對(duì)于先柵極集成,NMOS和PMOS可能需要不同的金屬、高介質(zhì)和覆蓋材料。為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)結(jié)構(gòu)制作,在沉積界面層、高介質(zhì)、P型覆蓋、P型金屬和多晶硅硬罩之后,進(jìn)行一次圖案光阻幕罩的制造,以便于多晶硅覆蓋PM(B區(qū)域,同時(shí)NMOS區(qū)域沒(méi)有多晶硅幕罩。之后,一個(gè)濕法刻蝕被用來(lái)選擇性地去除沒(méi)有被多晶硅覆蓋的金屬、覆蓋和高介質(zhì)層,而多晶硅幕罩覆蓋的區(qū)域及其以下多層材料不被傷及。接著沉積第二個(gè)柵疊層,并一樣使用多晶硅幕罩來(lái)選擇性刻蝕。