OBIRC)H/ⅪVA用于探測漏電通路。OBIRCH常用于芯片內(nèi)部高阻抗及低阻抗分析。PTH12020WAH線路漏電路徑分析。利用OBIRCH方法,可以有效地對電路中缺陷定位,如金屬互 連線條中的空洞、通孔下的簾洞,通孔底部高阻L×等;也能有效地檢測短路或漏電,是發(fā)光顯微技術(shù)的有力補(bǔ)充。某一電路系統(tǒng)失效,由于系統(tǒng)復(fù)雜,其他方法未能確認(rèn)出失效原因,利用OBIRCH方法找到r失效機(jī)理。圖1準(zhǔn),9是某一電路系統(tǒng)局部的oBIRCH圖。

    圖14.9(a)是OBIRCH定位到芯片內(nèi)部某一電路系統(tǒng)失效位置,箭頭所指的紅、綠點(diǎn)表示芯片內(nèi)部在這塊Lx域出現(xiàn)高阻抗和低阻抗;綠線條表示芯片內(nèi)部某一電路系統(tǒng)通電流路徑,晶片內(nèi)部線路漏電路徑分析圖。(,BIRCH分析偏置條件為電壓=0.51V,電流=2.72mA。圖14.9(b)是OBIRCH定位到芯片內(nèi)部某一電路系統(tǒng)失效位置,箭頭所指表示芯片內(nèi)部在這塊區(qū)域出現(xiàn)高阻抗和低阻抗;晶片內(nèi)高阻抗及低阻抗分析。()BIRCH分析測試條件為電壓0。lOV,電流0.408mA。