OBIRCH雷射注入技術(shù)在90nm制程失效分析中的運(yùn)用。以S←CCD探頭為代表的光反射顯微鏡不能用來探測短路、P87C51RB+5A歐姆特性的缺陷;進(jìn)入到O.35um~0・18r火m鋁互連制程,由于工作電壓降低,圖形的密度越來越高以及功耗的減少,液晶技術(shù)對歐姆特性的缺陷應(yīng)用已經(jīng)變得不再有效,()BIRCH∷XIVA等雷射技術(shù)對先進(jìn)的鋁互連的歐姆特性缺陷變得非常普遍,也可以探測到接觸不良的缺陷e圖.10是日本HAMAMATSU公司的PHEM()s1000型EMMIⅡOBIRCH杉1臺。

   接觸孔缺陷類型的案例:對于金屬層之問的接觸孔缺陷類型的失效,這種失效常常表現(xiàn)為由于缺陷引起測試結(jié)構(gòu)的阻值偏高,但又沒有斷開;對于0.35um~0・18um鋁互連制程中的這類缺陷,OBIRCH雷射偵測技術(shù)一苴都非常實(shí)用;進(jìn)人銅互連技術(shù)制程后,OBIRCH雷射偵測技術(shù)對這類缺陷的診斷同樣實(shí)用。

   下面是一個(gè)失效的Via Chain結(jié)構(gòu),由1200個(gè)Via與上下層小段銅金屬線組成鏈狀的導(dǎo)線,結(jié)構(gòu)的阻值比正常的高出10倍左右;正常阻值為0~100hm/Via范圍,該失效結(jié)構(gòu)測得的阻值為1000hm/Via左右。

   圖14.11是OB1RCH偵測到的熱點(diǎn),測試條件為電壓1V,測得電流15uA,熱點(diǎn)在結(jié)構(gòu)圖形的邊緣位置川司樣,根據(jù)OBIRCH探測到熱點(diǎn)位置,利用IB和TEM機(jī)臺的物理分析手段找到引起Via Chain結(jié)構(gòu)的阻值偏高的原因。