OB1RCH等需射技術利用紅外波段波長1.3um的雷射掃描芯片的止面或背面,因Si襯底對紅外波段光的透明性,不會在Si襯底激發(fā)出電子一空穴對。PST573IMT-R雷射激發(fā)的能量以熱的形式被芯片特征吸收,被吸收的能量引起特征阻值的變化。因此,常用于后段金屬互連線的短路、開路、金屬層間接觸孔的接觸不良引起的阻值飄高等失效問題的診斷,是一個非常實用的手段。對銅制程產品金屬互連線的短路,雖然有定位不如鋁制程準確的報道,但對通孔接觸不良相關失效定位仍然非常有效實用。ΘBIRCH等雷射技術也可以用于制程前段器件歐姆特性失效模式的問題,如EsD測試失效,ESD保護電路中的器件常常損傷嚴重,IV曲線早歐姆特性.OBIRCH技術常被用來定位這一類失效。

   同PEM利其他定位技術一樣,(記IRC)H也存在局限性,如:

   (1)大部分OBIRCH等雷射技術系統(tǒng)只適用于DC靜態(tài)失效分析,引起失效的缺陷如果不和電源或地相連,如信號(signtaD,OBIRCH分析時所加偏置不易激勵失效線路。

   (2)芯片正面多層金屬布線結構,特別是大尺寸金屬互連線,對OBIRCH探測的熱點有熱耗散(heat dissipation)作用,降低探測靈敏度。

   (3)使用雷射注人技術主要的關注是在雷射橫向掃描芯片時引起溫度的上升,溫度上升太少探測不到缺陷,溫度上升太多會造成芯片的損傷,人為地破壞芯片。

   (4)同PEM類似,C汜IRCH探測的熱點,不一定是真正的失效位置,而是一些結構由于所加偏置條件或設計等引起。作為產品級失效定位手段時,在相同偏置條件下,建議通過好壞樣品相比較,從中找出有效熱點,找到失效機理。