根據導電溝道的材料不同,結型場效應管分為N溝道結型場效應管和P溝道結型 場效應管。 H27U2G8T2MTP-BC結型場效應管的結構示意圖和圖形符號如圖3-孓16所示。它在一塊N型(或P型)硅半導體材料的兩側各制作一個PN結。N型(或P型)半導體的兩個極分別叫作漏極(D)和源極(s),把兩個P區(qū)(或N區(qū))連在一起引出的電極叫作柵極(G)。兩個PN結中間的N型(或P型)區(qū)域稱為導電溝道(溝道就是電流通道)。

   絕緣柵型場效應管

   絕緣柵型場效應管的結構示意圖和圖形符號如圖3-5-17所示。

絕緣柵型場效應管按其工作狀態(tài)可以分為增強型和耗盡型兩類,每類又分為P型溝道和N型溝道。

   絕緣柵型場效應管在一塊摻雜濃度低的P型(或N型)硅片上,用擴散的方法形成兩個高摻雜的N型區(qū)(或P型區(qū)),分別作為源極(s)和漏極(D)。在兩個N型區(qū)(或P型區(qū))之間的硅片表面上制作一層極薄的二氧化硅(so2)絕緣層,使兩個N型區(qū)(或P型區(qū))隔絕起來,在絕緣層上面蒸發(fā)一個金屬電極――柵極(G)。由于柵極和其他電極及硅片之間是絕緣的,所以稱之為絕緣柵型場效應管。從整體上說,它由金屬、氧化物、半導體組成,因此又稱其為金屬一氧化物―半導體場效應管,簡稱為MOs場效應管。