根據(jù)導(dǎo)電溝道的材料不同,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型 場(chǎng)效應(yīng)管。 H27U2G8T2MTP-BC結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖和圖形符號(hào)如圖3-孓16所示。它在一塊N型(或P型)硅半導(dǎo)體材料的兩側(cè)各制作一個(gè)PN結(jié)。N型(或P型)半導(dǎo)體的兩個(gè)極分別叫作漏極(D)和源極(s),把兩個(gè)P區(qū)(或N區(qū))連在一起引出的電極叫作柵極(G)。兩個(gè)PN結(jié)中間的N型(或P型)區(qū)域稱為導(dǎo)電溝道(溝道就是電流通道)。

   絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管

   絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖和圖形符號(hào)如圖3-5-17所示。

絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管按其工作狀態(tài)可以分為增強(qiáng)型和耗盡型兩類,每類又分為P型溝道和N型溝道。

   絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在一塊摻雜濃度低的P型(或N型)硅片上,用擴(kuò)散的方法形成兩個(gè)高摻雜的N型區(qū)(或P型區(qū)),分別作為源極(s)和漏極(D)。在兩個(gè)N型區(qū)(或P型區(qū))之間的硅片表面上制作一層極薄的二氧化硅(so2)絕緣層,使兩個(gè)N型區(qū)(或P型區(qū))隔絕起來(lái),在絕緣層上面蒸發(fā)一個(gè)金屬電極――柵極(G)。由于柵極和其他電極及硅片之間是絕緣的,所以稱之為絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。從整體上說(shuō),它由金屬、氧化物、半導(dǎo)體組成,因此又稱其為金屬一氧化物―半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱為MOs場(chǎng)效應(yīng)管。