電鍍后烘焙(Post Plating Baking)
發(fā)布時間:2017/11/23 20:51:55 訪問次數(shù):1427
電鍍后烘焙(Post Plating Baking)M01215
這一步的目的是減少及延緩錫胡須的產(chǎn)生、因為錫胡須會造成芯片封裝后成品的引腳短路,使電路系統(tǒng)無法正常⒈作,錫胡須要控制小于50um。烘焙溫度為150℃,時問為1小時。
切筋整腳成型(Trim/From)
塑封完成后,要對整個支架做切筋及整腳成型的動作.使單個IC從整條攴架一個一個完整的分離出來,如此整個外觀才算完成。
圖19.31~圖19.39為切筋整腳成型過程中的示意圖和照片。
電鍍后烘焙(Post Plating Baking)M01215
這一步的目的是減少及延緩錫胡須的產(chǎn)生、因為錫胡須會造成芯片封裝后成品的引腳短路,使電路系統(tǒng)無法正常⒈作,錫胡須要控制小于50um。烘焙溫度為150℃,時問為1小時。
切筋整腳成型(Trim/From)
塑封完成后,要對整個支架做切筋及整腳成型的動作.使單個IC從整條攴架一個一個完整的分離出來,如此整個外觀才算完成。
圖19.31~圖19.39為切筋整腳成型過程中的示意圖和照片。
相關(guān)技術(shù)資料- 11-23電鍍后烘焙(Post Plating Baking)
- 相關(guān)IC型號
- M01215
- 暫無最新型號
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