變頻技術(shù)是建立在電力電子技術(shù)基礎(chǔ)之上的。在低壓交流電動機(jī)的傳動控制中,應(yīng)用TB1100M最多的器件有GTo(門極可關(guān)斷晶閘管)、GTR、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及IPM(IntcIligcnt Powcr Modulc,智能功率模塊)。IGBT集GTR的低飽和電壓特性和MOsFE飛金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的高頻開關(guān)特性于一體。后兩種器件是目前通用變頻器中廣泛使用的主流功率器件。由于采用溝道型柵極技術(shù)、非穿通技術(shù)等方法,大幅度降低“集電極一發(fā)射極”之間飽和電壓產(chǎn)品的問世,使得變頻器的性能有了很大的提

高。⒛世紀(jì)⒛年代又出現(xiàn)了一種新型半導(dǎo)體開關(guān)器件――集成門極換流晶閘管(IntcgratedGatc Commu啞cd Thyristor,IGCTl,該器件是GTo和IGBT結(jié)合的產(chǎn)物�？傊�,電力電子器件正朝著發(fā)熱少、高載波控制、開關(guān)頻率高和驅(qū)動功率小的方向發(fā)展。

   IPM的投入應(yīng)用大約比IGBT晚兩年,由于IPM包含了IGBT芯片及外圍驅(qū)動和保護(hù)電路,甚至還把光耦合器也集成于一體,因此是一種比較好用的集成型功率器件。