在爐管中，雜質(zhì)原子擴(kuò)散到裸露的晶圓中。在晶圓內(nèi)部，摻雜原子以?xún)煞N不同的機(jī)制運(yùn)動(dòng)：PCA9539PWR空位模式和間隙模式。在空位模式中，摻雜原子通過(guò)占據(jù)晶格空位來(lái)運(yùn)動(dòng)，稱(chēng)為填空雜質(zhì)( vacancy)。第二種模式依賴(lài)于雜質(zhì)的間隙運(yùn)動(dòng)。在這種模式中，摻雜原子在晶格間（即間隙位置）運(yùn)動(dòng)。

   淀積工藝受幾個(gè)因素控制或約束。一個(gè)因素是特定雜質(zhì)的擴(kuò)散率( diffusivity)。擴(kuò)散率計(jì)量的是雜質(zhì)在特定晶圓材料中的運(yùn)動(dòng)速率。擴(kuò)散率越高，雜質(zhì)在晶圓中的穿越越快。擴(kuò)散率隨溫度的上升而變大。

   另外一個(gè)因素是雜質(zhì)在晶圓材料中的最大固溶度( maximum solid solubility)。最大固溶度是特定雜質(zhì)在晶圓中所能達(dá)到的最高濃度。相似的例子是咖啡中糖的最大溶解度�？Х戎荒�溶解一定量的糖，而后便會(huì)在杯底凝結(jié)為固態(tài)糖。最大固溶度隨溫度的升高而升高。

   在半導(dǎo)體淀積步驟中，將雜質(zhì)濃度故意設(shè)置得比晶圓材料中的最大固溶度更高。這種情形下，確保晶圓可接受最大摻雜量。

   進(jìn)入晶圓表面的雜質(zhì)數(shù)量?jī)H僅與溫度有關(guān)，淀積在所謂的同溶度允許條件下進(jìn)行。硅中不同雜質(zhì)的固溶度。