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系統(tǒng)集成

發(fā)布時(shí)間:2018/2/19 22:50:26 訪問(wèn)次數(shù):417

    1)系統(tǒng)集成。CMOS圖像傳感器能在同一個(gè)芯片上集成各種信號(hào)和圖像處理模塊,如REF198FSZ運(yùn)放器、A/D轉(zhuǎn)換、數(shù)字彩色處理和數(shù)據(jù)壓縮電路、標(biāo)準(zhǔn)TV和計(jì)算機(jī)I/O接口等,形成單片成像系統(tǒng)。

   2)功耗低。CMOS圖像傳感器只需單一電壓供電,靜態(tài)功耗幾乎為零,其功耗僅相當(dāng)于CCD的1/8,有利于延長(zhǎng)便攜式、機(jī)載或星載電子設(shè)備的使用時(shí)間。

   3)成像速度快。CCD采用串行連續(xù)掃描的工作方式,必須一次性讀出整行或整列的圖像,CMOS圖像傳感器可以在每個(gè)像素掃描的基礎(chǔ)上同時(shí)進(jìn)行信號(hào)放大。

   4)響應(yīng)范圍寬。CMOS圖像傳感芯片除了可惑應(yīng)到可見(jiàn)光外,對(duì)紅外等非可見(jiàn)光波也有反應(yīng)。在890。980nm范圍內(nèi),其靈敏度比CCD圖像傳感芯片的靈敏度要高出許多,并且隨波長(zhǎng)增加而衰減的梯度也較慢。目前設(shè)計(jì)制造出的對(duì)波長(zhǎng)為1~ 3ym可見(jiàn)光都敏感的CMOS圖像傳感芯片,已在夜戰(zhàn)和夜間監(jiān)控上得到了廣泛的應(yīng)用。

   5)抗輻射能力強(qiáng)。由于CCD的像素的影響由MOS電容構(gòu)成,電荷激發(fā)的量子效應(yīng)易受輻射的影響,而CMOS圖像傳感器的像素由光電二極管或光柵構(gòu)成,抗輻射能力比CCD大十多倍。

   6)成本低。CMOS制造成本低,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,成品率高。



    1)系統(tǒng)集成。CMOS圖像傳感器能在同一個(gè)芯片上集成各種信號(hào)和圖像處理模塊,如REF198FSZ運(yùn)放器、A/D轉(zhuǎn)換、數(shù)字彩色處理和數(shù)據(jù)壓縮電路、標(biāo)準(zhǔn)TV和計(jì)算機(jī)I/O接口等,形成單片成像系統(tǒng)。

   2)功耗低。CMOS圖像傳感器只需單一電壓供電,靜態(tài)功耗幾乎為零,其功耗僅相當(dāng)于CCD的1/8,有利于延長(zhǎng)便攜式、機(jī)載或星載電子設(shè)備的使用時(shí)間。

   3)成像速度快。CCD采用串行連續(xù)掃描的工作方式,必須一次性讀出整行或整列的圖像,CMOS圖像傳感器可以在每個(gè)像素掃描的基礎(chǔ)上同時(shí)進(jìn)行信號(hào)放大。

   4)響應(yīng)范圍寬。CMOS圖像傳感芯片除了可惑應(yīng)到可見(jiàn)光外,對(duì)紅外等非可見(jiàn)光波也有反應(yīng)。在890。980nm范圍內(nèi),其靈敏度比CCD圖像傳感芯片的靈敏度要高出許多,并且隨波長(zhǎng)增加而衰減的梯度也較慢。目前設(shè)計(jì)制造出的對(duì)波長(zhǎng)為1~ 3ym可見(jiàn)光都敏感的CMOS圖像傳感芯片,已在夜戰(zhàn)和夜間監(jiān)控上得到了廣泛的應(yīng)用。

   5)抗輻射能力強(qiáng)。由于CCD的像素的影響由MOS電容構(gòu)成,電荷激發(fā)的量子效應(yīng)易受輻射的影響,而CMOS圖像傳感器的像素由光電二極管或光柵構(gòu)成,抗輻射能力比CCD大十多倍。

   6)成本低。CMOS制造成本低,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,成品率高。



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