摩托羅拉公司半導(dǎo)體實驗室構(gòu)建出全球首枚晶體管，而且可能制造出尺寸更小、功耗更低的芯片。該晶體管名為Multiple Independent Gate Field Effect Transistor或MIGFET，允許一枚晶體管包含多個獨立門。這種晶體管門結(jié)構(gòu)的設(shè)計是利用現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造工藝，在更小的空間內(nèi)包含更強計算能力，并減低功耗。

    傳統(tǒng)晶體管機構(gòu)是在水平面上構(gòu)建一個門或者一個位置，記錄構(gòu)成所有數(shù)字信息基石的開/關(guān)和0/1狀態(tài)。半導(dǎo)體工業(yè)曾經(jīng)研制過垂直雙門晶體管，試圖以這種方式在更小的空間內(nèi)獲得更強大的計算能力。

    迄今為止，這些實驗性結(jié)構(gòu)大多數(shù)都受到限制，因為兩個門產(chǎn)生了電氣連接。這些結(jié)構(gòu)比現(xiàn)有平面器件有更多的改進(jìn)性能，摩托羅拉在納米級硅片的多邊上形成單門，超越了以往技術(shù)。在此突破上，摩托羅拉對門結(jié)構(gòu)進(jìn)行了電氣絕緣，每一個門分別受自己的電壓控制。

    這使以下功能擴(kuò)展成為可能：更低的功耗，芯片設(shè)計師能使用雙門或單門關(guān)斷器件，以動態(tài)控制所消耗的功率；更快速處理速度，芯片設(shè)計師能采用單晶體管執(zhí)行由許多晶體管互連所完成的復(fù)雜邏輯功能；更小型化電路，采用這種垂直結(jié)構(gòu)，能在較小空間內(nèi)集成更多功能。此外，兩個獨立門能構(gòu)成基礎(chǔ)電路。