FFP08D60L2 配位化合物在有機(jī)光電子學(xué)中占有較重要地位,一方面由于配合物中的金屬具有可氧化或可還原性,使配合物分子具有較好的導(dǎo)電性。例如,配合物s-羥基喹啉鋁(Alq3)是在有機(jī)電子器件中使用最廣泛的電子傳輸材料。另一方面,重金屬的存在會(huì)產(chǎn)生軌道與自旋耦合,使原本禁阻的三線態(tài)激子光輻射過(guò)程成為可能。三線態(tài)激子發(fā)光,在有機(jī)電致發(fā)光器件中,顯得日益重要,因?yàn)樗睦?突破了基于熒光材料器件內(nèi)量子效率不超過(guò)25%的限制,使器件內(nèi)量子效率達(dá)到100%。

    配位場(chǎng)理論是針對(duì)配合物,將分子軌道理論與靜電晶體場(chǎng)理論綜合考慮而形成的,它較好地解釋了配位化合物的形狀和光電磁性質(zhì)。靜電晶體場(chǎng)理論將配體和過(guò)渡金屬離子間的作用看作配位體的力場(chǎng)和中心離子產(chǎn)生的相互作用,并導(dǎo)致中心離子d軌道的分裂。例如,在正八面體結(jié)構(gòu)的金屬配合物中,配體是沿著三個(gè)坐標(biāo)軸兩頭的圩、卻、±z方向接近中心離子。由于d~9、ψv2軌道的電子云極大值方向正好與配位體迎頭相撞,能量較高;而蜘、‰、揚(yáng)的電子云極大值方向可插人六個(gè)配體的間隙,受到的排斥小,因此能量較低。結(jié)果金屬的5個(gè)d軌道分裂為兩組,能量較高的一組為eg,包含兩個(gè)軌道,能量較低的為t2g,包含三個(gè)軌道,eg與t2g軌道能級(jí)之差記

為z(或10DΦ,稱為分裂能。在正四面體結(jié)構(gòu)的金屬配合物中,金屬在四面體的中央,四個(gè)配體占據(jù)四面體的四個(gè)頂端位置。因此配體剛好與石、z軸錯(cuò)開(kāi),避開(kāi)了ψ、ψγ2的極大值位置而靠近dt,,、‰、‰的極大值。于是,:5個(gè)d軌道的分裂與正八面體的相反:蜘、‰、鯤能量較高,而ψ、ψ刁2則能量較低。在正方形配合物中,四個(gè)配體沿圩、±y方向與中心離子接近,五個(gè)d軌道按照能量由高至低分為四組:(ψ√、‰)、ψ、‰、鯤o分子軌道認(rèn)為配合物的中心過(guò)渡金屬元素可以和周?chē)呐潴w形成離域分子軌道,并引起金屬元素簡(jiǎn)并d軌道的能級(jí)變化和分裂。結(jié)合了分子軌道理論和靜電晶體場(chǎng)理論后產(chǎn)生的配位場(chǎng)理論認(rèn)為,在八面體、四面體、正方形配合物中,配體的不同接近中心離子方式,可利用配體中孤對(duì)電子軌道與金屬d軌道進(jìn)行線性組合形成分子軌道來(lái)考慮。