屏蔽層右側(cè)不接殼體干擾從屏蔽電纜注人時(shí)的干擾原理分析
發(fā)布時(shí)間:2019/1/2 20:56:50 訪問次數(shù):1428
從以上現(xiàn)象與原理分析,似乎屏蔽電纜只能采用單端接地的方式,但是事實(shí)并非如此。K4S641632K-UC75圖3.14只是分析了一種干擾情況,即干擾從產(chǎn)品1的左側(cè)電纜注入,此時(shí),屏蔽電纜右側(cè)不與產(chǎn)品2的殼體連接,會(huì)降低產(chǎn)品1所受到的干擾。實(shí)際應(yīng)用中,干擾會(huì)從各種途徑進(jìn)人產(chǎn)品,圖3.15所示的是屏蔽層右側(cè)不接殼體干擾從屏蔽電纜注人時(shí)的干擾原理分析圖。由圖3.15可知,當(dāng)共模干擾電平注人屏蔽電纜屏蔽層時(shí),屏蔽電纜的屏蔽層在靠近產(chǎn)品2側(cè)處的電位馬上抬高,然而,此時(shí)屏蔽電纜內(nèi)導(dǎo)體中的電位并沒有同步抬高,于是位于屏蔽電纜屏蔽層與內(nèi)導(dǎo)體之間的寄生電容Cc兩端出現(xiàn)了可變的電位差,導(dǎo)致千擾電流從屏蔽層進(jìn)入屏蔽電纜內(nèi)導(dǎo)體,從而沿著電纜流人PCB板,形成圖3,15中虛線箭頭線表示的千擾電流。
圖315 屏蔽層右側(cè)不接殼體干擾從屏蔽電纜注人時(shí)的干擾原理分析圖如圖3.16所示,如果將屏蔽電纜右側(cè)的屏蔽層接至產(chǎn)品2的殼體,那么當(dāng)共模干擾電平注入屏蔽電纜屏蔽層時(shí),屏蔽電纜的屏蔽層在靠近產(chǎn)品2側(cè)處的電位與產(chǎn)品2殼體的電位同步抬高,最終,干擾電流無法進(jìn)入產(chǎn)品2的內(nèi)部(即從屏蔽電纜屏蔽層沿著Cc進(jìn)入屏蔽
電纜內(nèi)的導(dǎo)體,流向PCB的電流被圖3.16中虛線箭頭表示的電流旁路),產(chǎn)品2內(nèi)部電路得到保護(hù)。
從以上現(xiàn)象與原理分析,似乎屏蔽電纜只能采用單端接地的方式,但是事實(shí)并非如此。K4S641632K-UC75圖3.14只是分析了一種干擾情況,即干擾從產(chǎn)品1的左側(cè)電纜注入,此時(shí),屏蔽電纜右側(cè)不與產(chǎn)品2的殼體連接,會(huì)降低產(chǎn)品1所受到的干擾。實(shí)際應(yīng)用中,干擾會(huì)從各種途徑進(jìn)人產(chǎn)品,圖3.15所示的是屏蔽層右側(cè)不接殼體干擾從屏蔽電纜注人時(shí)的干擾原理分析圖。由圖3.15可知,當(dāng)共模干擾電平注人屏蔽電纜屏蔽層時(shí),屏蔽電纜的屏蔽層在靠近產(chǎn)品2側(cè)處的電位馬上抬高,然而,此時(shí)屏蔽電纜內(nèi)導(dǎo)體中的電位并沒有同步抬高,于是位于屏蔽電纜屏蔽層與內(nèi)導(dǎo)體之間的寄生電容Cc兩端出現(xiàn)了可變的電位差,導(dǎo)致千擾電流從屏蔽層進(jìn)入屏蔽電纜內(nèi)導(dǎo)體,從而沿著電纜流人PCB板,形成圖3,15中虛線箭頭線表示的千擾電流。
圖315 屏蔽層右側(cè)不接殼體干擾從屏蔽電纜注人時(shí)的干擾原理分析圖如圖3.16所示,如果將屏蔽電纜右側(cè)的屏蔽層接至產(chǎn)品2的殼體,那么當(dāng)共模干擾電平注入屏蔽電纜屏蔽層時(shí),屏蔽電纜的屏蔽層在靠近產(chǎn)品2側(cè)處的電位與產(chǎn)品2殼體的電位同步抬高,最終,干擾電流無法進(jìn)入產(chǎn)品2的內(nèi)部(即從屏蔽電纜屏蔽層沿著Cc進(jìn)入屏蔽
電纜內(nèi)的導(dǎo)體,流向PCB的電流被圖3.16中虛線箭頭表示的電流旁路),產(chǎn)品2內(nèi)部電路得到保護(hù)。
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