半導(dǎo)體技術(shù)遵循摩爾定律飛速發(fā)展著,隨之而來的是手機功能越來越復(fù)雜,從最開G5244A31U始的功能性手機,到現(xiàn)在的智慧型手機;手機已深深融入到人們的日常生活當中,成為人們利用率最高的電子產(chǎn)品c一方面由于手機芯片的集成度越來越高,導(dǎo)致芯片更加脆弱,承受外界干擾的能力變?nèi)?另一方面人們使用手機的時間也越來越長,導(dǎo)致手機充電次數(shù)隨之增加,加上市面上參差不齊的充電器及不穩(wěn)定電網(wǎng)的影響,這些囚素的疊加,最終導(dǎo)致手機的各種損壞返修,而這些返修問題中,充電IC和PMIC占得比例最大。應(yīng)對充電IC和PMIC返修過高的問題,日前各大手機廠商紛紛提高EOS(Elec“cal Orr Stress,電氣過應(yīng)力)測試標準,提升抗EOS性能c

   目前品牌手機客戶大多采用EOS300Ⅴ測試標準,該測試采用IEC610OO-4-5標準混合波波形,其測試內(nèi)阻為2Ω,這就要求手機的電池端口采用圖4.99所示的防護電路原理,并且TⅤs必須至少具有140A的脈沖峰值電流(IPP)通流能力,才有機會通過此測試c圖4∞中,虛框內(nèi)的元器件可以采用大通流、低殘壓的TⅤS管(單向或雙向)。為比較各種方案的區(qū)別,特進行如下測試試驗:

   首先選用了一個SOD323的TⅤs管(此封裝較大,用在手機上較為勉強,此處只做驗證測試用),查看產(chǎn)品規(guī)格書得知,IPP在I30A時殘壓為22.7Ⅴ。經(jīng)過測試其在正浪涌電壓和負浪涌電壓時的殘壓見圖4,100(圖4,101）.