對(duì)于PMC)S,眾所周知,具有(110)晶面取向的襯底比具有(100)晶面取向的襯底的空穴遷移率性能更高。M24C16-WBN6P而對(duì)于NMOS,具有(110)晶面取向的襯底比具有(100)晶面取向的襯底的電子遷移率要差。晶向重排可以通過(guò)改變PMOS晶體管排版設(shè)計(jì)(1ay°ut)或者是在標(biāo)準(zhǔn)<100>晶體表面進(jìn)行通道方向重新排列完成。

   混合取向技術(shù)(H汕Ⅱd OⅡentation Techxlo1ogy,HOT)將PMOS做在(110)晶面襯底,NMOS做在(100)晶面襯底上,從而在改進(jìn)PMOS空穴遷移率的同時(shí),不損害NMOS的電子遷移率。IBM公司在⒛03年IEDM上提出利用晶圓鍵合和選擇性外延技術(shù),得到(110晶面上的PMOs和(100)晶面上的NMOS,報(bào)告顯示將其應(yīng)用于90nm CMOS,PMOS性能可以提高40%[221。

  硅直接鍵合(¤rect Silicon Bondi【△g,DSB)晶片(一種鍵合(100)和(110)襯底的大塊CMOS混合型晶片)是公認(rèn)的推進(jìn)這一方法的候選方案。IBM曾將(100)層的面旋轉(zhuǎn)45°并將(110)襯底的DSB層變薄來(lái)獲得標(biāo)準(zhǔn)的(100)晶片,成功地將環(huán)形振蕩器的延遲比傳統(tǒng)的

DSB襯底0°(100)晶片――它鍵合到一個(gè)具有兩個(gè)硅襯底,即(100)和(110)襯底的晶片上――的結(jié)果改進(jìn)了10%,并將這一成果與技術(shù)集成到一起。新發(fā)展將環(huán)形振蕩器延遲比標(biāo)準(zhǔn)(100)晶片改進(jìn)了30%。這一成果可以與能達(dá)到更高進(jìn)展的技術(shù)集成到一起[23

傳統(tǒng)的CM()S器件隨著特征尺寸逐步縮小,越來(lái)越顯現(xiàn)出局限性。研究人員正在積極尋找新的替代器件產(chǎn)品,以便在更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中超越體硅CMC)S技術(shù)。ITRS中提出的非傳統(tǒng)CMOS器件,有超薄體SC)I、能帶工程晶體管、垂直晶體管、雙柵晶體管、FinFET等。而未來(lái)有望被廣泛應(yīng)用的新興存儲(chǔ)器器件,主要有磁性存儲(chǔ)器(MRAM)、相變存儲(chǔ)器(PRAM)、納米存儲(chǔ)器(NRAM)、分子存儲(chǔ)器(molccular mem°ry)等。新興的邏輯器件則主要包括了諧振隧道二極管、單電子晶體管器件、快速單通量量子邏輯器件、量子單元自動(dòng)控制器件、納米管器件、分子器件等。