透射衰減的相移掩膜版的相移層一般由硅化鉬(MoSi)制成
發(fā)布時(shí)間:2019/1/30 16:55:24 訪問(wèn)次數(shù):1373
透射衰減的相移掩膜版的相移層一般由硅化鉬(MoSi)制成。一般來(lái)講,對(duì)于6%左右的透射率有著6%±0.5%左右的控制精度要求。對(duì)相移精度有著180°±5°的要求。 JA3515-OS-A04隨著工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的穩(wěn)步提高,對(duì)于掩膜版的精度會(huì)越來(lái)越高。下面我們來(lái)討論以下透射衰減相移掩膜版能夠?yàn)槊芗(xiàn)條帶來(lái)多少好處:
顯示了一組密集線(xiàn)條在投射衰減掩膜版上的情況。掩膜版上線(xiàn)寬為〃,空兩束光成像相比三束光成像具有更大的焦深,對(duì)于孤立的圖形,由于進(jìn)人光瞳的衍射級(jí)非常多,換句話(huà)說(shuō),其衍射譜是連續(xù)的,其焦深比密集圖形要小。那么,如何提高孤立圖形的焦深呢?在20世紀(jì)90年代末,Fung Chcn等人提出F使用亞衍射散射條(sub_resolutionassist features,SRAF)的方法來(lái)提高孤立圖形的焦深ηΙ2,圖7.96描述了常見(jiàn)的亞衍射散射條的效果。其原理是在孤立線(xiàn)條在光瞳L的連續(xù)衍射角分布L1加上密集圖形的衍射級(jí),將兩束光成像焦深較大的效應(yīng)對(duì)原先孤立線(xiàn)條的△藝窗口進(jìn)行夾持,改善孤立線(xiàn)條的對(duì)焦深度。其實(shí),我們可以將此情況看成是兩個(gè)圖形的效果的疊加。所以,加上亞衍射散射條后,焦深得到顯著提高。不過(guò),由于衍射光更加集中到密集的0級(jí)、1級(jí)或者-1級(jí),原先孤立線(xiàn)條的密集衍射級(jí)數(shù)被淡化,空間像對(duì)比度會(huì)有所減小(也就是射級(jí)數(shù)由于受到密集散射條對(duì)0、±1級(jí)的傾斜,其他級(jí)數(shù)受到削弱,等效的衍射變小了),也就是能量寬裕度會(huì)有所減小。
顯示了加上亞衍射散射條后,對(duì)焦深度顯著提高了(大約從60nm到100nm),但是曝光能量寬裕度也減小了(2OOnm空問(wèn)周期以上大約從20%下降到16%)。而且孤立線(xiàn)條的掩膜版誤差囚子也大約從1.0升到1,5。所以,亞衍射散射條的應(yīng)用能夠大幅提高對(duì)焦深度,但是也要放棄一點(diǎn)對(duì)比度或者能量寬裕度。綜上所述,發(fā)揮亞衍射散射條的作用,也需要配合離軸照明(如環(huán)形照明)一起使用。
透射衰減的相移掩膜版的相移層一般由硅化鉬(MoSi)制成。一般來(lái)講,對(duì)于6%左右的透射率有著6%±0.5%左右的控制精度要求。對(duì)相移精度有著180°±5°的要求。 JA3515-OS-A04隨著工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的穩(wěn)步提高,對(duì)于掩膜版的精度會(huì)越來(lái)越高。下面我們來(lái)討論以下透射衰減相移掩膜版能夠?yàn)槊芗(xiàn)條帶來(lái)多少好處:
顯示了一組密集線(xiàn)條在投射衰減掩膜版上的情況。掩膜版上線(xiàn)寬為〃,空兩束光成像相比三束光成像具有更大的焦深,對(duì)于孤立的圖形,由于進(jìn)人光瞳的衍射級(jí)非常多,換句話(huà)說(shuō),其衍射譜是連續(xù)的,其焦深比密集圖形要小。那么,如何提高孤立圖形的焦深呢?在20世紀(jì)90年代末,Fung Chcn等人提出F使用亞衍射散射條(sub_resolutionassist features,SRAF)的方法來(lái)提高孤立圖形的焦深ηΙ2,圖7.96描述了常見(jiàn)的亞衍射散射條的效果。其原理是在孤立線(xiàn)條在光瞳L的連續(xù)衍射角分布L1加上密集圖形的衍射級(jí),將兩束光成像焦深較大的效應(yīng)對(duì)原先孤立線(xiàn)條的△藝窗口進(jìn)行夾持,改善孤立線(xiàn)條的對(duì)焦深度。其實(shí),我們可以將此情況看成是兩個(gè)圖形的效果的疊加。所以,加上亞衍射散射條后,焦深得到顯著提高。不過(guò),由于衍射光更加集中到密集的0級(jí)、1級(jí)或者-1級(jí),原先孤立線(xiàn)條的密集衍射級(jí)數(shù)被淡化,空間像對(duì)比度會(huì)有所減小(也就是射級(jí)數(shù)由于受到密集散射條對(duì)0、±1級(jí)的傾斜,其他級(jí)數(shù)受到削弱,等效的衍射變小了),也就是能量寬裕度會(huì)有所減小。
顯示了加上亞衍射散射條后,對(duì)焦深度顯著提高了(大約從60nm到100nm),但是曝光能量寬裕度也減小了(2OOnm空問(wèn)周期以上大約從20%下降到16%)。而且孤立線(xiàn)條的掩膜版誤差囚子也大約從1.0升到1,5。所以,亞衍射散射條的應(yīng)用能夠大幅提高對(duì)焦深度,但是也要放棄一點(diǎn)對(duì)比度或者能量寬裕度。綜上所述,發(fā)揮亞衍射散射條的作用,也需要配合離軸照明(如環(huán)形照明)一起使用。
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 低頻磁場(chǎng)抗擾度測(cè)試
- 東京電子的刻蝕機(jī)主要采用電容耦合等離子(CC
- 濾波電容中采用兩級(jí)Y電容的共模濾波
- 分地后的數(shù)字電路噪聲干擾電流依然流經(jīng)模擬敏感
- EFT/B抗擾度測(cè)試問(wèn)題原理
- 熱敏電阻器是一種對(duì)溫度敏感的電阻器
- 兩種半導(dǎo)體的交界面附近的區(qū)域稱(chēng)為PN結(jié)
- 電子與空穴將遠(yuǎn)離耗盡區(qū)而使耗盡區(qū)變寬
- 電容在低于諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)容性
- 三極管是一種電子電路中應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體元器
推薦技術(shù)資料
- 業(yè)余條件下PCM2702
- PGM2702采用SSOP28封裝,引腳小而密,EP3... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開(kāi)
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門(mén)信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
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