這張表的線寬數(shù)據(jù)僅供示意用,不過,它們代表的信息是準(zhǔn)確的。如果我們選擇第二行:JMK212BJ475KG-T線寬為100nm,它隨著槽寬的增加而減小.至刂達(dá)一個(gè)最小值后叉逐漸恢復(fù)一點(diǎn),最后穩(wěn)定在較大槽寬的地方:90nmc冉看第二列:槽寬為100nm,它隨著線寬的增加而減小(表中列出的現(xiàn)款數(shù)據(jù).槽寬=L+S一線寬),到達(dá)一定的線寬(如300nm),槽便不能夠被分辨(Mcrge)。但是,隨著槽寬變寬,第工、四、五列,槽Merge的情況逐漸好轉(zhuǎn)。所以我們不禁要問?為什么線與槽不對等?這是閃為:

   浸沒式光刻也遇到一系列技術(shù)挑戰(zhàn),如缺陷,光刻膠表面光酸的浸析(leaching),換句話講光酸會受到浸沒式水的分子力而被從光刻膠中拉出來,一方面造成不完整顯影的缺陷,另一方面造成鏡頭表面的腐蝕。又如由于水在硅片表面的蒸發(fā),影響硅片的套刻精度。不過,這些問題都已經(jīng)得到較好的解決,現(xiàn)在由于浸沒式造成的缺陷已經(jīng)降到10~⒛顆/硅片。甚至有些好的光刻機(jī),缺陷率降到5顆/硅片。不過,在浸沒式光刻中,偏振照明已經(jīng)變得不可或缺。用得最多的是ⅪY照明條件和單一Y或者X方向的偏振態(tài)。

   (1)光刻膠偏向線,也就是光刻膠是為孤立以及半孤立的線條優(yōu)化的。

   (2)系統(tǒng)使用了透射衰減掩膜版,它對線條的對比度增加有很大幫助,不過,相移層的存在對相對孤立的槽的I藝窗口有很大損傷。

   (3)掩膜版上使用了正向的線寬偏置,使得系統(tǒng)需要有一點(diǎn)過度曝光來充分發(fā)揮偏向線的光刻膠的性能,而槽的光刻膠通常喜歡曝光不足。那么,有沒有對線、槽都平等對待的光刻膠?回答是:理論上能夠,但是實(shí)際屮很難制造。比如,對線的光刻膠,對光線不能做得太靈敏,否則,孤立的線條就會被過度曝光而大大縮小線寬,甚至發(fā)生圖形倒塌。如果曝光不過度,會使得在光刻膠邊緣產(chǎn)生殘留;同理,對

槽的光刻膠必須做得很靈敏,否則對于孤立的槽或者接觸孔,無法形成足夠的曝光,造成圖形打不開。