在所用過的光刻的波長中,13.5nm可能不太容易被理解。從最初的g線、i線到當(dāng)今的365nm、248nm和193nm,多少還是讓人感到,我們是在做“光刻”。由于193nm浸沒式的成功,157nm的項日已經(jīng)終止。JRC9281G從157nm往下走已經(jīng)沒有什么好的光源,于是人們就找到了13.5nm的極紫外光。光刻機(jī)所用的光譜圖如圖7,109所示。

   (l)速度潛力依賴于光源的光強(qiáng)和光刻膠的靈敏度,業(yè)界公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是對于10耐/cm2感光度的光刻膠,實現(xiàn)100硅片/小時的產(chǎn)能需要在中閘焦點的光強(qiáng)為200W。可是目前報至的最高能量為90W∶ˉ1∶。而時下最快的浸沒式光刻機(jī)的速度為175片/小日寸,也就是說,就算二重曝光,等效的生產(chǎn)速度也在87片/小時,況且浸沒式機(jī)器的價錢比起極紫外便宜很多。

   (2)雖然波長短不需要進(jìn)行克服衍射效應(yīng)的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正,但是由于反射鏡為了提高反射率需要沉積折射率高低交替的高反射膜。通常為40~50對鉬(2.8nm)和硅(4.2nm)的薄膜,加L吸收層大約為150nm,整個結(jié)構(gòu)相對于線寬(22nm節(jié)點半周期在35~40nm,在掩膜版卜大約為110~160nm)相當(dāng)高大,需要對光的散射做細(xì)致計算16?1。而且雖然極紫外光刻沒有傳統(tǒng)意義上的光學(xué)鄰近效應(yīng),但是對于斜人射光,我們需要對其陰影效應(yīng)進(jìn)行補償。再者,由于波長極短,掩膜版上的缺陷很容易散射極紫外光!61。有關(guān)掩膜版的缺陷現(xiàn)狀和檢測方法,日r以參照文獻(xiàn)[6矧。又由于波長短,13,5nm的1/4波長為3.38nm。任何多層膜(100層高反膜)~L的厚度變化會相造成空間像的位相移動,對空間像造成損害6i。

   (3)由于斜入射角(6°),使得在離焦時會伴隨著橫向(微觀套刻)移動,如厚度變化、缺陷造成的不平整。極紫外(EUV)光刻機(jī)由以下幾個部分組成:光源:高電壓激勵的等離子體放電燈(r,lschargc Produced Plasma,DPP)或者激光激勵(I'aser Produccd Plasma,I'PP)的等離子體放電燈和反射式光收集鏡片組。光刻機(jī)主體:包括反射鏡組(遇常為6片0.25NA)、主真空腔體(真空度<10:)、磁懸浮硅片平臺、掩膜版平臺、平臺驅(qū)動裝置、硅片輸送裝置等。