排列在前二甲的干法刻蝕機廠商包括泛林半導體(I'am rescarch,I'AM),東京電子(Tokyo Electror,TEI')和應(yīng)用材料公司

(Applicd Materials,AMAT)。事實上,盡管CM()S的特征尺寸在過去的十年閘(2001~2010年)已經(jīng)從0,13um縮減到45nm,這一排序沒有改變過。HAT2192WP-EL-E每個廠商都開發(fā)出各自不同的硬件體系,用來滿足對片內(nèi)和片間均勻性控制的苛刻需求。

   面對新材料和不斷縮小器件尺寸的挑戰(zhàn),在2007年,I'am用獲得專利的雙頻率技術(shù), 為45nmェ藝節(jié)點的介質(zhì)刻蝕開發(fā)出了多頻率功率等離子刻蝕機2300Exelan Flex45。多加的頻率用于底部電極。多頻設(shè)計已經(jīng)被證明增強了I藝的靈活性,并能夠在同一腔體內(nèi)

刻蝕不同的材料。除r增加了抽氣速率,從物理和化學反應(yīng)機理的觀點出發(fā),將⒛04年在 23O0Exclan Flex DD首次使用的雙區(qū)靜電卡盤和雙氣流饋人技術(shù)以及第二調(diào)渚氣體和先進的邊緣環(huán)等技術(shù)整合Lam Research在1992年就獲得了TCP技術(shù)的專利,到⒛10年,該技術(shù)在32nm及以下I藝節(jié)點中一直扮演著重要的角色。⒛04年推出了用于65nm的23∞Ki四系列,它除強了泵的能力外,還增加了可調(diào)諧靜電卡盤(EKl),并能夠在晶圓中心與邊緣實行獨立的溫度控制。這種可調(diào)諧的功能可以集成到一步步控制晶圓溫度,增大了△藝窗口,卻不會對等離子發(fā)生擾動。晶圓刻蝕完成后,執(zhí)行無晶圓自動清洗(WAC)和先進的腔室條件控制(AC3)操作。在⒛08年,Ki四3x,Kivo系列的第三代產(chǎn)品,開始將多l(xiāng)x靜電卡盤溫度控制和邊緣氣流調(diào)整方案用于32nm丁藝節(jié)點,這些與增強反應(yīng)器對稱的措施一起使得CD

均勻性達到了hm。此外,先進的預涂層反應(yīng)腔清洗專利技術(shù),也確保了每一片晶圓刻蝕的高度重復性。