失效機理:久效比特的管lig1111y dopcd drain)lX域、有源lK和sTI(shallow1rcnch isolatiOn)交接lx域存在深度超過源漏離f注入|κ的深度的位錯。 D27C512D-15由于位錯的存在,會對摻雜的離子有匯聚作用,匯聚的摻雜離子集巾存在-起,容易形成漏電流的通路,造成器件功能失效:

   失效原喪烘的位錯往是在離子注入時形成的:制程I∶藝中,在離f注入之后都會對硅片進行退火處J駔.退火的作川^是為激活注人的離子,另外也是為F對注人過程中產(chǎn)1i的品格缺陷進行修復(fù):如果「藝導(dǎo)致品格缺陷過于嚴重,或退火的時閘、溫度不夠,退火的程序就不能對品格缺陷進行有效修復(fù),這些缺陷的存在就會對器件的性能產(chǎn)生影響.

   失效分析手法:

   ①分析:根鋸sRΛM版圖,勹單比特失效桕關(guān)的層次為第'層(Ml)∵本地金屬F連層(local interconncco或前段制程.丿f封后.該器件川傳統(tǒng)的f、濕法并結(jié)合研磨自接剝層至M1。

   ②sEM觀察:Ml形貌正常.排除Ml刂|起失效的可能性。研磨六掉Ml至鎢插寨(contac1)。

   (1)基本情況:sMIC0,18um制程TQV(test qualification vehiclc),它以sRAM為載體,用于檢測產(chǎn)品的質(zhì)童和可靠性參數(shù)。

   (2)封裝類型:TsOPII妊環(huán)氧樹脂封裝e

   (3)發(fā)生失效場合:為驗證新封裝測試廠產(chǎn)品質(zhì)量.經(jīng)歷環(huán)境測試/HA⒏Γ120小時。

   (4)失效模式:白動測試(ΛTE)連續(xù)性/開路。

   (5)失效機理:環(huán)氧樹脂勹器件表面之問嚴重分層(爆米花效應(yīng)),導(dǎo)致Pin Λ8焊接點和鋁焊盤脫離。

  (6)失效原因:該封裝廠產(chǎn)品密封性差.塑封材料內(nèi)的水分在高溫下受熱發(fā)生嘭脹,使塑封料與金屬柜架和`B片"j發(fā)F卜分層討訌斷鍵合絲或和鋁焊盤脫離.發(fā)生開路失效:

   (7)所采用的分析方法:C分析:Hr\s'「(highl卜:accclerated tcn1pera1urc humiditys1ress test).加速壽命實驗.主要檢驗環(huán)氧樹脂封裝器件的耐腐蝕能力・如致密性c失效模式:連續(xù)性∷.開路。同封裝制程質(zhì)量強相關(guān)。因此.用檢測封裝器件的非破壞性分析手段,

sAM和X Ray進行分析。②外觀檢查:正常。③SAM:環(huán)氧樹脂與器件表面之間嚴重分層。①開封/內(nèi)部檢查及SEM:掃描電鏡觀察分層導(dǎo)致Pin A8金球/焊接點和鋁焊盤脫離,如圖1途,31所示。