在隨機(jī)失效階段,失效率相對(duì)比較低廣^般為-常數(shù),器件特性慕本恒定,但一發(fā)+故障,D27C256D-20則常常是致命的:在磨損失效階段・早期發(fā)明品體管時(shí).人們認(rèn)為品體管是固體器件、具有無(wú)限壽命.但集成電路已經(jīng)發(fā)展到超大規(guī)模集hlt電路・每芯片⒈集成有廳以11器件數(shù).尋致器件的尺寸不斷精細(xì)化.失效率隨著時(shí)問(wèn)增大雨i提高出現(xiàn)磨損失效現(xiàn)象:集成電路可靠性主要包括:個(gè)部分:設(shè)計(jì)nT靠性、制程可靠性和產(chǎn)品刂封裝日r靠性。熱載流子是指其能童比費(fèi)米能級(jí)大幾個(gè)KT以上的載流子。這些載流子與晶格不處于熱平衡狀態(tài),當(dāng)其能量達(dá)到或超過(guò)Si SiO=界面勢(shì)壘時(shí)(對(duì)電子注人為3.2eV,對(duì)簾穴注人為1.5eV)便會(huì)注人氧化層中.產(chǎn)⒋界畫(huà)態(tài)、氧化層缺陷或被陷阱所俘獲.使氧化層電荷增加或波動(dòng)不穩(wěn),這就是熱載流子效應(yīng)。熱載流子包括熱電子和熱空穴。

   當(dāng)M(E器件丁作時(shí),載流子(電子或空穴)從源向漏移動(dòng),在漏端高電場(chǎng)區(qū)獲得動(dòng)能。隨著能量的累積,這些高能載流子不再與晶格保持熱平衡狀態(tài),而是具有高于品格熱能(KT)的能量,稱(chēng)熱載流子。當(dāng)熱載流子的能量超過(guò)一定的閾值就會(huì)產(chǎn)生碰撞電離(impactionization〉。碰撞電離產(chǎn)生的電子空穴對(duì)會(huì)產(chǎn)生更多的電子空穴對(duì),從而發(fā)生雪崩效應(yīng)。有一部分熱載流子具有較高能董,能夠克服⒏/sOJ接口勢(shì)壘注人靠近漏端的氧化層。這些注人的載流子會(huì)被俘獲在柵氧化層中,或si/Si()2界面,或損壞集成電路的mT靠性涉及許多領(lǐng)域,如設(shè)計(jì)、芾刂造、封裝和測(cè)試。在新技術(shù)的丹發(fā)巾,每個(gè)新的制程模塊(process modulc)的可靠性以及它與其他模塊的交Il作用,是至關(guān)重要的,也會(huì)影響到產(chǎn)品最后的可靠性。集成電路特征尺寸縮減,而其△作電壓基本保持不變・對(duì)于制程丁程師、設(shè)備r程師、可靠性I程師及制程整合丁程師有著很大的挑戰(zhàn).在冖I靠性、設(shè)汁和T藝開(kāi)發(fā)之間有時(shí)需要做出權(quán)衡。在超大規(guī)模集成電路時(shí)代,可靠性設(shè)計(jì)概念是極其重要的,設(shè)計(jì)自f靠性必須建立在IC開(kāi)發(fā)的每個(gè)過(guò)程中,包括設(shè)計(jì)、下藝開(kāi)發(fā)和制造的各個(gè)階段。如此,新技術(shù)的可靠性才能得到一定的保證。