分辨率是掃描電子顯微鏡的主要性能指標(biāo)
發(fā)布時(shí)間:2019/2/1 10:21:35 訪問次數(shù):1112
分辨率是掃描電子顯微鏡的主要性能指標(biāo),它是指在圖像上能分辨出的兩個(gè)亮點(diǎn)之間的最小問距c影響掃描電鏡分辨率的主要囚素一是掃描電子束斑直徑, KA2901DTF 一般認(rèn)為掃捕電鏡能分辨的最小間距不可能小于掃描電子束斑直徑,它主要取決于電子光學(xué)系統(tǒng),尤其是電子槍的類型和性能、束流大小、末級聚光鏡光闌孔徑大小及其污染程度等,高分辨率的掃描電子顯微鏡都采用場發(fā)射電子槍,其束斑直徑小,束流密度高;另一個(gè)囚素是人射電子束在樣品中的擴(kuò)展效應(yīng),高能人射電子在樣品內(nèi)經(jīng)過多次散射后,整體⒈失去F方向性,在固體內(nèi)部形成漫散射,漫散射作用區(qū)的形狀取決于原子序數(shù),漫散射作用lx的體積大小取決于入射電子的能量。
掃描電子強(qiáng)微鏡像襯度主要是利用樣品表面微區(qū)特征(如形貌,原子序數(shù)或化學(xué)成分, 晶體結(jié)構(gòu)或晶體取向等)的差異,在電子束作用下產(chǎn)生不同強(qiáng)度的二次電子信號,從而導(dǎo)致 成像熒光屏上不同的lx域出現(xiàn)不同的亮度,獲得具有一定襯度的圖像。表面形貌襯度是利
用對樣品表面形貌變化敏感的物理信號作為調(diào)制信號得到的一種像襯度。工次電子信號主 要來自樣品淺表層,它的強(qiáng)度與原子序數(shù)沒有明確的關(guān)系,但對微區(qū)刻面相對于入射電子束 的位向十分敏感。而且二次電子像分辨率高,非常適用于顯示形貌襯度。表面尖棱、小粒子、 坑穴邊緣等結(jié)構(gòu)囚二次電子的產(chǎn)額高.在掃描像上這些位置亮度高,CD SEM主要利用形 貌襯度,利用所觀察目標(biāo)的表面形狀的起伏產(chǎn)生襯度,冉配以自動測量的軟件,實(shí)現(xiàn)快速、高 分辨率的CD測量。在集成電路生產(chǎn)過程中,溝槽的寬度、通孔的直徑、柵極的寬度、互連線 的寬度等都可以用CD sEM進(jìn)行高精度的測量。要得到高的分辨率,人射束在樣品內(nèi)部的擴(kuò)展要小,探頭所收集到的工次電子所來自的面積要小。當(dāng)以二次電子為調(diào)制信號時(shí),二次電子主要來自兩個(gè)方面,即由人射電子直接激發(fā)的二次電子(成像信號)和由背散射電子、X射線光子射出表面過程中間接激發(fā)的二次電子(本底噪音)。為減少本底噪音,通常采用較低的入射能量,減少背散射電子和X射線光子的激發(fā)所產(chǎn)生的二次電子。理想情況下,二次電子成像的分辨率約等于束斑直徑。背散射電子的能量比較大,來自于樣品內(nèi)較大的區(qū)域,通常背散射電子成像的分辨率要比二次電子低。
分辨率是掃描電子顯微鏡的主要性能指標(biāo),它是指在圖像上能分辨出的兩個(gè)亮點(diǎn)之間的最小問距c影響掃描電鏡分辨率的主要囚素一是掃描電子束斑直徑, KA2901DTF 一般認(rèn)為掃捕電鏡能分辨的最小間距不可能小于掃描電子束斑直徑,它主要取決于電子光學(xué)系統(tǒng),尤其是電子槍的類型和性能、束流大小、末級聚光鏡光闌孔徑大小及其污染程度等,高分辨率的掃描電子顯微鏡都采用場發(fā)射電子槍,其束斑直徑小,束流密度高;另一個(gè)囚素是人射電子束在樣品中的擴(kuò)展效應(yīng),高能人射電子在樣品內(nèi)經(jīng)過多次散射后,整體⒈失去F方向性,在固體內(nèi)部形成漫散射,漫散射作用區(qū)的形狀取決于原子序數(shù),漫散射作用lx的體積大小取決于入射電子的能量。
掃描電子強(qiáng)微鏡像襯度主要是利用樣品表面微區(qū)特征(如形貌,原子序數(shù)或化學(xué)成分, 晶體結(jié)構(gòu)或晶體取向等)的差異,在電子束作用下產(chǎn)生不同強(qiáng)度的二次電子信號,從而導(dǎo)致 成像熒光屏上不同的lx域出現(xiàn)不同的亮度,獲得具有一定襯度的圖像。表面形貌襯度是利
用對樣品表面形貌變化敏感的物理信號作為調(diào)制信號得到的一種像襯度。工次電子信號主 要來自樣品淺表層,它的強(qiáng)度與原子序數(shù)沒有明確的關(guān)系,但對微區(qū)刻面相對于入射電子束 的位向十分敏感。而且二次電子像分辨率高,非常適用于顯示形貌襯度。表面尖棱、小粒子、 坑穴邊緣等結(jié)構(gòu)囚二次電子的產(chǎn)額高.在掃描像上這些位置亮度高,CD SEM主要利用形 貌襯度,利用所觀察目標(biāo)的表面形狀的起伏產(chǎn)生襯度,冉配以自動測量的軟件,實(shí)現(xiàn)快速、高 分辨率的CD測量。在集成電路生產(chǎn)過程中,溝槽的寬度、通孔的直徑、柵極的寬度、互連線 的寬度等都可以用CD sEM進(jìn)行高精度的測量。要得到高的分辨率,人射束在樣品內(nèi)部的擴(kuò)展要小,探頭所收集到的工次電子所來自的面積要小。當(dāng)以二次電子為調(diào)制信號時(shí),二次電子主要來自兩個(gè)方面,即由人射電子直接激發(fā)的二次電子(成像信號)和由背散射電子、X射線光子射出表面過程中間接激發(fā)的二次電子(本底噪音)。為減少本底噪音,通常采用較低的入射能量,減少背散射電子和X射線光子的激發(fā)所產(chǎn)生的二次電子。理想情況下,二次電子成像的分辨率約等于束斑直徑。背散射電子的能量比較大,來自于樣品內(nèi)較大的區(qū)域,通常背散射電子成像的分辨率要比二次電子低。
熱門點(diǎn)擊
- 電容器的型號命名方法
- 變?nèi)荻䴓O管與普通二極管一樣
- 對網(wǎng)口變壓器初級邊下的所有平面層進(jìn)行挖空處理
- 芯片在使用早期會有較高的失效比率
- 電源端子及其他端子騷擾電壓/電流
- 共模扼流圈的作用主要是濾除低頻共模干擾
- 當(dāng)MOSFET的器件尺寸縮得非常小
- 用數(shù)字萬用表檢測電位器
- 浪涌電壓高于最大持續(xù)運(yùn)行電壓
- 光電子能譜(XPS)是一種比較有效的測量膜厚
推薦技術(shù)資料
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究