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貼片工藝后需要用高溫將銀膠烤干同化

發(fā)布時間:2019/2/1 11:02:08 訪問次數(shù):1773

    貼片工藝后需要用高溫將銀膠烤干同化,溫度為175℃,時間為l小時。烘焙的同KA358ADTF時,需要在烤箱中通氮氣,防止芯片及支架表面氧化,造成后序I藝無法完成打線鍵合。銀膠烘焙固化后,需要測量芯片顆粒與支架間的接合力,一般要大于2.0kg的推力需求。

   將芯片顆粒的金屬焊接墊(bond pad)與支架,用金屬引線焊接聯(lián)通在一起。打線機的藝主要參數(shù)為4項:鍵合時溫度、打線劈刀的壓力、超音輸出能量、超音作用時間。

   現(xiàn)在將其過程分步完成:

   第一步:金線在打線機的劈刀口下露出線尾。

  第二步:打線機的打火桿放電,將線尾熔成球形(叫做自由空氣球,free缸r ball)。

   第三步:劈刀移動到芯片顆粒的鍵合區(qū),向下將白由空氣球壓到芯片顆粒鍵合區(qū)上。

   第四步:劈刀加壓力,超音輸出能量,作用時問完成后停止超音輸出。

   第五步:提起劈刀,在芯片鍵合區(qū)上形成金球,接著帶著金線由芯片顆粒鍵合區(qū)移往支架上的鍵合區(qū)。

   第六步:劈刀移動到支架的鍵合Lx上,向下金線壓到支架鍵合區(qū)上。

   第七步:劈刀加壓力,超音輸出能量,作用時間完成后停止超音輸出。

  第八步:移動提起劈刀切斷金線,在支架鍵合區(qū)上形成魚尾,同時保留線尾在打線機的劈刀口下端。


    貼片工藝后需要用高溫將銀膠烤干同化,溫度為175℃,時間為l小時。烘焙的同KA358ADTF時,需要在烤箱中通氮氣,防止芯片及支架表面氧化,造成后序I藝無法完成打線鍵合。銀膠烘焙固化后,需要測量芯片顆粒與支架間的接合力,一般要大于2.0kg的推力需求。

   將芯片顆粒的金屬焊接墊(bond pad)與支架,用金屬引線焊接聯(lián)通在一起。打線機的藝主要參數(shù)為4項:鍵合時溫度、打線劈刀的壓力、超音輸出能量、超音作用時間。

   現(xiàn)在將其過程分步完成:

   第一步:金線在打線機的劈刀口下露出線尾。

  第二步:打線機的打火桿放電,將線尾熔成球形(叫做自由空氣球,free缸r ball)。

   第三步:劈刀移動到芯片顆粒的鍵合區(qū),向下將白由空氣球壓到芯片顆粒鍵合區(qū)上。

   第四步:劈刀加壓力,超音輸出能量,作用時問完成后停止超音輸出。

   第五步:提起劈刀,在芯片鍵合區(qū)上形成金球,接著帶著金線由芯片顆粒鍵合區(qū)移往支架上的鍵合區(qū)。

   第六步:劈刀移動到支架的鍵合Lx上,向下金線壓到支架鍵合區(qū)上。

   第七步:劈刀加壓力,超音輸出能量,作用時間完成后停止超音輸出。

  第八步:移動提起劈刀切斷金線,在支架鍵合區(qū)上形成魚尾,同時保留線尾在打線機的劈刀口下端。


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