有些芯片在劃片時(shí)為了達(dá)到特殊的芯片表面保護(hù)效果,同一切割道要切割兩次。此時(shí)KA358A第一次切割時(shí)用的刀片比較寬,第二次切割時(shí)用的刀片比較窄。切割時(shí)要特別注意,不可切穿芯片背面的藍(lán)膜。若切穿藍(lán)膜會(huì)造成芯片顆粒散落,后序的貼片工藝無(wú)法進(jìn)行。

   劃片時(shí)潔凈水的電阻值要控制在1MΩ之下,以保護(hù)芯片顆粒不會(huì)有靜電(ESD)破壞的問(wèn)題。

   一般劃片時(shí)移動(dòng)的速度為50mm/s。

   一般劃片時(shí)的刀片旋轉(zhuǎn)的速率為38000r/min。

    劃片完成后,還需要用潔凈水沖洗芯片表面,保證芯片L打線鍵合區(qū)不會(huì)有硅粉等殘物,如此才能保證后序打線鍵合丁藝的成功良品率。有時(shí)在潔凈水中還要加入清潔用的化學(xué)藥劑及二氧化碳?xì)馀?以便提高清潔的效果及芯片表面清潔度。

  將芯片顆粒由劃片后的藍(lán)膜上分別取下,用膠水(epoxy)與支架(leadframc,引線筐架)貼合在一起,以便于下一個(gè)打線鍵合的△藝。膠水中加人銀的顆粒,以增加導(dǎo)電度,所以也稱為銀膠。貼片前后支架照片,以及貼片丁藝分別。

   一般芯片顆粒背后銀膠層厚度為5um。同時(shí)芯片顆粒周邊需要看到銀膠溢出痕跡,保證要有90%的周邊溢出痕跡。

   貼片及打線工藝完成后的截面照片,芯片顆粒外圍可見(jiàn)溢出現(xiàn)象

其他的常用貼片模式之一,主要是使用共金熔焊模式取代銀膠焊錫絲熔焊模式取代銀膠芯片顆粒小的產(chǎn)品貼片的速度可以提高:但是對(duì)于芯片顆粒超大的產(chǎn)品.貼片時(shí)需保證誤差度在50um以內(nèi).所以速度要放慢:針對(duì)超薄的芯片顆粒.必須用慢速及特昧的芯片顆粒吸取吸頭,以保證芯片顆粒不會(huì)被破壞或出現(xiàn)微裂紋: