L-FW802C

   正負載流子既有可能以能帶模式輸運,如有機晶體中;也可能以躍進模式輸運,如非晶態(tài)有機材料中;也可能是二者的混合。通常情況下,同一材料中正負載流子的遷移率也不盡相同。眾所周知,當在中性分子中性孤立分子中能級分布,sO為基態(tài),s1、Tl分別為單線態(tài)和三線態(tài)能級,JP型民)為解離能,D愆E/4c)為電子親和能;tb)理想晶體中正負載流子能級分布,Fh和Ee分別是空穴和電子能級位置,VB和CB分別是傳輸空穴的價帶和傳輸電子的導帶,尾和晃分別是平均電子極化能和平均空穴極化能.

   是能隙;(c)離子化晶體中正負極化子能級位置及其統(tǒng)計分布,APh和APe分別為空穴和電子相對于平均極化能的極化能偏差;ld)能隙中的陷阱能級位置,分別為處于能級E的電子或空穴的高斯型密度分布,Et為陷阱能級,Ct(Fl是陷阱密度分布加入一個電子時,有可能形成穩(wěn)定的負離子;而從中性分子中移出一個電子時,有可能形成正離子。向中性分子中加人電子時所釋放的能量稱為電子親和能(electron aⅢnity)E/,由中性分子中移出一個電子所需要的能量稱為解離能(ionization potential)rP�！ê蚮P分別對應于分子的最低空置能級GUMO)和最高占據(jù)能級(HOMO)亦即導帶⒆B)底端和價帶(VB)頂端,它們又分別對應于電子輸運軌道和空穴輸運軌道。由于形成晶體時強烈的極化作用(電子極化能為凡,空穴極化能為Ph),與孤立分子相比,晶體Ez4能級顯著降低,而fP能級顯著提高,有