LM1117S-1.5

   中電子的能量也越大,二者之間的束縛能就越小,因此所需要的熱激摻雜可以使半導(dǎo)體材料中載流子濃度顯著增加,提高材料的導(dǎo)電性。

    是沒(méi)有摻雜時(shí),產(chǎn)生本征載流子的情形,即導(dǎo)帶中存在的自由電子和價(jià)帶中存在的自曲空穴數(shù)量相當(dāng),沒(méi)有空間電荷。中通過(guò)摻雜電子受體(即強(qiáng)氧化性物質(zhì)),使半導(dǎo)體價(jià)帶附近引人空置能級(jí)LUMOA,因而通過(guò)熱激發(fā)過(guò)程,電子由主體材料HoMo能級(jí)轉(zhuǎn)移到客體材 料LUMoA能級(jí),半導(dǎo)體材料中出現(xiàn)過(guò)�？昭�,形成p型載流子中通過(guò)摻雜電子給體(即強(qiáng)還原劑),使半導(dǎo)體的導(dǎo)帶附近引人填充電子的能級(jí)HOMOD,通過(guò)熱激發(fā)過(guò)程,電子由客體HOMOD轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體導(dǎo)帶

LUMO,半導(dǎo)體導(dǎo)帶中出現(xiàn)過(guò)剩電子,形成n型載流子。

    給出了n型摻雜半導(dǎo)體的載流子濃度刀以及費(fèi)米能級(jí)EF隨溫度的變化曲線。可以看出,在較低溫度的“凍結(jié)”區(qū)域,n型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)在半導(dǎo)體導(dǎo)帶底端和給體引人能級(jí)之間,保持不變。因?yàn)闇囟容^低,只有摻雜給體對(duì)載流子有貢獻(xiàn)。這時(shí)通過(guò)熱激發(fā)方式產(chǎn)生的從給體到半導(dǎo)體導(dǎo)帶的電子躍遷概率也較低。由此,體系載流子濃度隨著溫度的降低而降低曲線斜率為在溫度較高的耗盡區(qū)即,載流子的貢獻(xiàn)仍然來(lái)自于摻雜給體。這時(shí),摻雜給體完全被氧化,即電子已經(jīng)最大限度地轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體的導(dǎo)帶上,因此載流子濃度保持不變,為蝻,而摻雜體系費(fèi)米能級(jí)隨著溫度的增大呈降低趨勢(shì),逐漸靠近半導(dǎo)體的本征費(fèi)米能級(jí)。在溫度更高的本征區(qū)域,除了摻雜給體對(duì)載流子的貢獻(xiàn)外,半導(dǎo)體的本征載流子也被激發(fā),因此載流子的濃度隨溫度的升高而急劇增大,log刀~Γ丬曲線斜率為《氓)/2庀,此時(shí)體系費(fèi)米能級(jí)與半導(dǎo)體的本征費(fèi)米能級(jí)接近。在有機(jī)半導(dǎo)體中,由于能隙cg)較大,很難通過(guò)熱激發(fā)仇o來(lái)產(chǎn)生本征載流子,因此通常觀測(cè)不到本征區(qū)域。