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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的靜態(tài)特性主要

發(fā)布時(shí)間:2019/4/11 20:23:25 訪問(wèn)次數(shù):2130

   H5PS5162GFR-Y5J

  

   轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線

   場(chǎng)效應(yīng)晶體管的靜態(tài)特性主要,是指表現(xiàn)漏極電流隨源漏電壓變化的輸出特性和表現(xiàn)漏極電流隨柵壓變化的轉(zhuǎn)移特性。前者以漏一源電壓(簡(jiǎn)稱漏電壓)為參變量,后者以柵一源電壓(簡(jiǎn)稱柵電壓)為參變量,如圖3,6和如圖3.7所示。

    


    通過(guò)測(cè)量,可以獲得器件的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性曲線,經(jīng)過(guò)各種推 導(dǎo)可以得到表征晶體管性能的各種參數(shù),主要包括電流開(kāi)/關(guān)比、閾值電壓、場(chǎng)效應(yīng)遷移率、夾斷電壓、亞閾值漂移及接觸電阻等。電流開(kāi)/關(guān)比定義為在開(kāi)和關(guān)兩個(gè)狀態(tài)下器件輸出電流的比值;閾值電壓指開(kāi)始出現(xiàn)溝道電流時(shí)的柵電壓;遷移率描述單位電場(chǎng)下載流子的平均遷移速度;夾斷電壓是器件漏電流由線性區(qū)域向飽和區(qū)域轉(zhuǎn)變的電壓;亞閾值漂移描述器件由關(guān)狀態(tài)到開(kāi)狀態(tài)轉(zhuǎn)變的快慢程度;接觸電阻指的是半導(dǎo)體與源漏電極之間的界面電阻。


   H5PS5162GFR-Y5J

  

   轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線

   場(chǎng)效應(yīng)晶體管的靜態(tài)特性主要,是指表現(xiàn)漏極電流隨源漏電壓變化的輸出特性和表現(xiàn)漏極電流隨柵壓變化的轉(zhuǎn)移特性。前者以漏一源電壓(簡(jiǎn)稱漏電壓)為參變量,后者以柵一源電壓(簡(jiǎn)稱柵電壓)為參變量,如圖3,6和如圖3.7所示。

    


    通過(guò)測(cè)量,可以獲得器件的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性曲線,經(jīng)過(guò)各種推 導(dǎo)可以得到表征晶體管性能的各種參數(shù),主要包括電流開(kāi)/關(guān)比、閾值電壓、場(chǎng)效應(yīng)遷移率、夾斷電壓、亞閾值漂移及接觸電阻等。電流開(kāi)/關(guān)比定義為在開(kāi)和關(guān)兩個(gè)狀態(tài)下器件輸出電流的比值;閾值電壓指開(kāi)始出現(xiàn)溝道電流時(shí)的柵電壓;遷移率描述單位電場(chǎng)下載流子的平均遷移速度;夾斷電壓是器件漏電流由線性區(qū)域向飽和區(qū)域轉(zhuǎn)變的電壓;亞閾值漂移描述器件由關(guān)狀態(tài)到開(kāi)狀態(tài)轉(zhuǎn)變的快慢程度;接觸電阻指的是半導(dǎo)體與源漏電極之間的界面電阻。


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