HD64F2623FA20V

   很明顯,當(dāng)主體材料是熒光發(fā)射材料時(shí),從主體材料三線態(tài)到摻雜磷光三線態(tài)的主要能量轉(zhuǎn)移過(guò)程是Dexter型能量轉(zhuǎn)移,這就要求較高的摻雜濃度。還必須注意的是,為了防止摻雜磷光材料三線態(tài)能量向主體材料三線態(tài)的逆向轉(zhuǎn)移,即防止磷光材料上三線態(tài)激子向主體材料三線態(tài)的擴(kuò)散,保證主體材料三線態(tài)向摻雜磷光材料三線態(tài)能級(jí)的能量轉(zhuǎn)移過(guò)程是放熱的,以便提高發(fā)光效率和減小效率滑落,還要求主體材料的三線態(tài)能級(jí)高于摻雜磷光材料的三線態(tài)能級(jí),這就是基于磷光機(jī)制的有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域所關(guān)注的三線態(tài)載流子限域問(wèn)題。在評(píng)價(jià)三線態(tài)載流子在摻雜磷光材料上的限域程度時(shí),通常以摻雜材料三線態(tài)能級(jí)(馬D)與主體材料三線態(tài)能級(jí)(馬H)之差fAC・J為判斷依據(jù)。M,A.Baldo等通過(guò)測(cè)量器件的瞬態(tài)電致發(fā)光和擬合得出的光輻射壽命,對(duì)不同ΔC的主體材料摻雜磷光材料體系進(jìn)行了研究。他們發(fā)現(xiàn),由主體材料三線態(tài)到摻雜材料三線態(tài)的能量轉(zhuǎn)移可以發(fā)生在ΔC略微大于0或小于0,以及等于0的體系,但ΔC小于0的體系將有利于兩個(gè)三線態(tài)之間的能量轉(zhuǎn)移圇。Υ KaWamura等研究了不同主體材料中、不同摻雜濃度下,摻雜薄膜的發(fā)光量子效率情況。經(jīng)過(guò)分析發(fā)現(xiàn),摻雜薄膜的發(fā)光量子效率對(duì)主體材料有很強(qiáng)的依賴性lsgl。當(dāng)藍(lán)色磷光發(fā)射材料FIrpic(15.23,bis[(difIuorophenyDpyridinato-N,摻雜在經(jīng)典磷光主體材料CBP e,bis中時(shí),薄膜的發(fā)光量子效率可在高摻雜濃度15%下達(dá)到最大,為”%。而當(dāng)Hrp摻雜在mcⅨm~us(Nˉcarbazolyl)benzen中時(shí),在很小摻雜濃度1,4%時(shí),薄膜的發(fā)光量子產(chǎn)率就能夠達(dá)到100%。

   如圖5,25所示,這些差別主要來(lái)自于主體材料間HOMO、LUMo及三線態(tài)能級(jí)的不同。當(dāng)CBP作為主體材料時(shí),Hrp憶的三線態(tài)激子能量大于CBP三線態(tài)能量,因此FIrp憶三線態(tài)激子易發(fā)生向CBP三線態(tài)轉(zhuǎn)移的過(guò)程,使FIrp憶三線態(tài)激子數(shù)量減少,導(dǎo)致較低的發(fā)光量子效率。當(dāng)mcP作為Πrp憶的主體材料時(shí),情況有所不同。由于mcP三線態(tài)能級(jí)高于FIrp憶三線態(tài)能級(jí),激子由Hrp憶向主體材料mcP的轉(zhuǎn)移,在熱力學(xué)角度是不利的,因此Πrp憶的三線態(tài)激子可以被限制在Πrp妃本身,而不會(huì)向主體mcP移動(dòng),導(dǎo)致了較高的光量子產(chǎn)率。