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   在主體材料一摻雜磷光材料體系中,從摻雜磷光材料三線態(tài)到主體材料三線態(tài)的逆向能量轉(zhuǎn)移過程,可以通過許多途徑得到觀測或證實。例如,低溫下檢測主體材料的三線態(tài)發(fā)光、分析摻雜薄膜在不同溫度下發(fā)光光譜變化、光誘導(dǎo)吸收譜分析、瞬態(tài)發(fā)光光譜分析等。

    雖然通過選擇三線態(tài)能量較高的主體材料,可以抑制磷光摻雜材料激子向主體材料的轉(zhuǎn)移,得到較高的發(fā)光效率。但也有使用三線態(tài)能量較低的主體材料卻得到較高發(fā)光效率的特殊例子。如選用三線態(tài)能量較低的聚芴衍生物作為一個磷光材料的主體材料時,如果在陽極和摻雜發(fā)光層之間嵌人可阻擋電子移出的緩沖層,使電子聚集在發(fā)光層內(nèi)靠近陽極的界面,而陽極注入的空穴可以通過直接俘獲的方式注人到摻雜磷光材料中,隨后與聚集在界面處的電子復(fù)合產(chǎn)生磷光發(fā)射,器件的效率可高達36,8cd/A及12.3%。

    研究表明摻雜薄膜的形貌對是否發(fā)生從主體材料到摻雜材料的Dexter能量轉(zhuǎn)移過程至關(guān)重要,如果摻雜材料的磷光壽命足夠短,則在三線態(tài)激子能量較高的情況下,也會產(chǎn)生主體材料三線態(tài)到摻

雜材料三線態(tài)的Dexter能量轉(zhuǎn)移阝到。我們使用新型磷光材料k(BPPya)3制備PhOLED器件,通過器件物理機制研究,指出磷光三線態(tài)激子一三線態(tài)激子(Tˉη的猝滅作用,可通過激子復(fù)合區(qū)域的限域及展寬得到抑制,從而得到了效率高、且隨電流密度滑落小的高性能器件。