AA2214CGSK

   理解了柵氧擊穿的機(jī)理，也就清楚了改進(jìn)措施。如應(yīng)注意控制原材料硅中的C、02等微量雜質(zhì)的含量，在加工工藝中采用各種有效的潔凈措施，防止Na+、灰塵微粒等沾污。熱氧化時采用二步或三步HCL氧化法：先用高溫低速的方式生長，一層厚度約2nm的Si()2，使Si-S102界面平整，然后再正常生長S102層。可以用CVD生長S102或摻氮氧化以改進(jìn)柵氧質(zhì)量等。  柵氧易受靜電損傷，它的損傷是累積性的，使用中必須采取防護(hù)措施.

   當(dāng)器件工作時，金屬互連線的鋁條內(nèi)有一定電流通過，金屬離子會沿導(dǎo)體產(chǎn)生質(zhì)量的運(yùn)輸，其結(jié)果會使導(dǎo)體的某些部位產(chǎn)生空洞或晶須（小丘），這即電遷移現(xiàn)象( Electromigration)。在塊狀金屬中，其電流密度較低《l04 Alcm2)，電遷移現(xiàn)象只在接近材料熔點(diǎn)的高溫時才發(fā)生。薄膜材料則不然，淀積在硅襯底上的鋁條，截面積很小，且具有良好的散熱條件，電流密度可高達(dá)l07 A／cm2，所以在較低溫度下就會發(fā)生電遷移。

    在微電子器件中，金屬互連線大多數(shù)采用鋁膜。這是因?yàn)殇X具有一些優(yōu)點(diǎn)，如電導(dǎo)率 高，能與硅材料彤成低阻值的歐姆接觸，與S102層等介質(zhì)膜具有良好的粘附性和便于加工 等。但使用中也存在一些問題，如硬度軟，機(jī)械強(qiáng)度低，容易劃傷；化學(xué)性質(zhì)活潑，易受 腐蝕；在高電流密度時，抗電遷移能力差。在電路規(guī)模不斷擴(kuò)大，器件尺寸進(jìn)一步縮小 時，互連線中電流密度在上升，鋁條中的電遷移現(xiàn)象更為嚴(yán)重，成為VLSI中的一個主要 可靠性問題。