宇航用半導(dǎo)體器件電離總劑量試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

   國外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)分析

   在半導(dǎo)體器件總劑量輻照試驗(yàn)方面,國外主M24C02-RMN6TP要總劑量輻照試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)如表3-4所示。

   MIL-ST冫750F-1019.5半導(dǎo)體分立器件總劑量試驗(yàn)程序主要應(yīng)用于半導(dǎo)體分立器件。本報(bào)告中主要對(duì)MIL-STD-883H M1019和ESA/scC Bs229oo進(jìn)行分析。表3-5總結(jié)了ESA/sCC22900和MIL-sTD-883H方法I0I98的不同之處�？梢钥闯�,ESⅣsCC22⒇0和M⒒-STD-883G方法1019.7在試驗(yàn)的適用范圍、輻射源的選擇、輻射總劑量的要求、輻射劑量率、退火條件及輻射過程中的溫度和測試溫度存在差別,而在輻射劑量率的選擇上,兩標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定相差幾十倍。